摘要：通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3μA(@25℃)和13.7μA(@175℃)。并且25℃和150℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。

摘要：为了解我国高中数学教科书插图的设置,基于《普通高中数学课程标准(2017年版2020年修订)》的内容要求,对2019年出版的人教A版与北师大版高中数学教科书的插图数量、插图位置、插图类型及插图功能进行比较研究.研究表明:在插图数量上,北师大版插图密度高于人教A版;在插图位置上,2版教科书文中图所占比例较大,与正文篇幅呈现较强相关性;在插图类型上,2版教科书数学图所占比例最高;在插图功能上,2版教科书都重视表征型插图的使用.针对研究结论提出适当调整插图数量、注重插图位置编排、合理设计插图类型、有效发挥插图功能的建议.

摘要：园林景观是现代城市环境中一道亮丽的风景线,能让人们的生活环境更加美丽,并塑造城市良好形象。但要充分发挥园林景观的这些作用,就要注重园林景观设计工作,充分关注设计中植物色彩运用要点。为了做好园林景观设计工作,首先分析了植物色彩运用要点,论述了植物色彩运用意义、原理,然后探讨了植物色彩运用思路与基本原则,提出相关策略。

摘要：现代远程开放教育充分体现以学生自主学习为中心的先进教育理念,教师的任务由直接传授知识转化为利用现代教育技术进行导学、助学、促学策略的研究和实践。一体化的教学设计和积极探索策划导学、助学、促学路径与实施方案并认真落实,是突破传统教学模式的关键。

摘要：将双创教育和思政教育融入到实践课程是高校教育顺应时代发展的必然趋势,也是打造工程实训三位一体大思政教育体系和布局高校面向未来发展的重要途径。基于此,以工程实训-数控技术实训课程为例,将双创教育、思政教育和实践课程进行有机融合,并对课程的培养目标、教学设计理念及思路、教学过程及考核评价进行了相应的教学改革探索。

摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新能源变频领域的核心器件[1],研发的过程中,数值仿真一直是重要的一环。为了减少研发成本、增加可靠性,本文使用Silvaco数值仿真软件,首先通过现有的产品建立准确的IGBT物理模型,再根据模型中的参数完成了以下工作:(1)对场限环和场版复合型IGBT终端结构设计进行指导,通过改变场版宽度和场限环数量,避免了终端设计缺陷引起电场扩散过快,导致击穿电压下降的问题,实验结果和数值仿真一致;(2)对现有设计结构不同工艺进行预测,评估了工艺改变对器件性能特性变化的影响,数值仿真和失效分析的结论一致指出了工艺条件的缺陷,指出可以降低推进时间来增加击穿电压。

摘要：以山东某城市电厂的大型海水淡化工程为实例,介绍了国产反渗透膜在该海水淡化项目中的应用。运行结果表明:以国产反渗透膜为主的海水淡化处理工艺设计合理,出水水质符合该地的自来水供水要求和植被用水要求,具有良好的环境效益和经济效益,对沿海地区缺水城市的发展具有借鉴意义。

摘要：针对大电流IGBT的耐压可靠性问题,对平面结终端技术及表面钝化的设计与工艺匹配性进行了研究。设计了一款1 200 V IGBT用FLR+FP混合终端,利用仿真软件研究了各结构参数对终端耐压的影响,将此终端用在1 200 V/100 A IGBT芯片上进行流片验证,并进一步研究钝化工艺对终端耐压及可靠性的影响。改良后的终端结构击穿电压可达1 460 V,可靠性得到显著提高,且具有更强的抗污染能力。