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单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
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《功能材料与器件学报》2000年 第3期6卷 161-164页
作者：刘训春 陈俊 王润梅 王惟林 李无瑕 李爱珍 陈建新 陈意桥 陈晓杰 杨全魁中国科学院微电子中心北京100010 中国科学院上海冶金研究所上海200050 
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时...
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