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近阈值宽电压设计方法学的问题与挑战: 收藏
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引用; 《微纳电子与智能制造》2021年第2期3卷 106-110页; 作者：张舜张科龙王泽蓥闫浩东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096; 随着芯片工艺尺寸的缩小和集成度的提高,在移动设备、数据中心和物联网等领域,功耗成为设计的重点。面向低功耗的宽电压近阈值设计方法学被提出,同时宽电压技术在近阈值区域也遇到了性能损失、功耗泄露、工艺波动等问题。本文综述了近...; 随着芯片工艺尺寸的缩小和集成度的提高,在移动设备、数据中心和物联网等领域,功耗成为设计的重点。面向低功耗的宽电压近阈值设计方法学被提出,同时宽电压技术在近阈值区域也遇到了性能损失、功耗泄露、工艺波动等问题。本文综述了近阈值宽电压技术发展中的概况和挑战以及未来发展的一些思考。; 来源：详细信息评论

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