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NIST论证硅疲劳效应: 收藏
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引用; 《微纳电子技术》2008年第2期45卷 124-124页; 作者：王玲（编译）王淑华（编译）; 机械疲劳效应是一个极其令人感兴趣的现象，因为它一直被人们认为是不存在的。美国国家标准与技术研究所（NIST）的研究人员已经对机械疲劳效应进行了论证，这种效应最终会导致体硅晶体中产生裂缝和断裂现象。这一学术成果对设计新型硅...; 机械疲劳效应是一个极其令人感兴趣的现象，因为它一直被人们认为是不存在的。美国国家标准与技术研究所（NIST）的研究人员已经对机械疲劳效应进行了论证，这种效应最终会导致体硅晶体中产生裂缝和断裂现象。这一学术成果对设计新型硅基微电子机械系统（MEMS）器件具有非常重要的意义。对硅MEMS器件的近期研究已经发现，这些把微小转动装备、振动弹簧片和其他机械零件综合在一起的微观系统，; 来源：详细信息评论

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