摘要：以TbFeCo作为蓝光磁光盘的记录介质 ,需要对传统磁光盘热、光学结构进行改进以提高载噪比。利用光学特征导纳矩阵法对改进结构的磁光盘膜层进行了优化设计 ,得到了较好的匹配结果 ;并通过热学计算得到了记录膜体温度分布 。

摘要：近年来,世界范围内环境污染问题日益加重,能源危机也越来越凸显出来,石墨相氮化碳量子点(graphite phase carbon nitride quantum dots, g-CNQDs)作为一种非金属半导体光催化材料,因其优异的性能引起了广大研究者的关注。g-CNQDs除了用于光催化降解有机污染物和能量转换器件领域外,还凭借其良好的生物相容性、稳定的荧光发射、高量子产率和无毒性等优点在生物医学和荧光探针等领域表现出了巨大的潜能。总结了g-CNQDs的制备方法及其在光催化、能量转换、生物医学等方面的研究进展,介绍了g-CNQDs的最新研究动态,同时为其复合结构设计及性能增强提供新的研究思路。

摘要：实验设计并组建了一套磁光极克尔磁滞回线测量装置,该装置可以通过改变照射到样品上的激光功率来改变薄膜样品上被聚焦光斑照射的测试点的温度。同时通过计算模拟了激光照射在TbFeCo磁光薄膜上的温度分布情况,得到了薄膜的矫顽力随照射激光功率的变化关系,由此可以确定薄膜的居里温度和补偿温度。为研究磁光薄膜样品在各种温度条件下,磁光性能的变化以及多层磁光薄膜的磁耦合效应提供了有效的手段。

摘要：该文考虑了全夹持和半夹持边界条件分别对d15模式压电悬臂梁俘能性能的影响。基于铁木辛柯梁理论建立了d15模式压电双晶片悬臂梁装置理论模型,并制作了半夹持结构悬臂梁的实验装置模型,测量了其在不同频率和不同负载电阻下的压电俘能性能。结果表明,设计的半夹持结构悬臂梁俘能器具有更优异的俘能性能和在低频环境下俘能的潜能。

摘要：采用金属催化化学蚀刻法制备硅纳米线阵列(silicon nanowire arrays,Si NWs),通过高速旋涂仪将自上而下法制备的石墨烯量子点(graphene quantum dots,GQDs)负载到Si NWs上。X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)等表征结果证明,GQDs能够通过高速旋涂仪负载到Si NWs上。扫描电子显微镜(scanning electron microscopy,SEM)形貌观测结果表明,蚀刻时间与Si NWs纳米线长度成正比。光电化学测试结果表明,性能最优的蚀刻时间为45 min。与原始硅片相比,GQDs负载的Si NWs光电密度达到了0.95 mA/cm^2,性能提升了30多倍。电化学交流阻抗(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)测试结果表明:GQDs的加入能显著提升载流子的传输效率。紫外–可见漫反射光谱(ultravioletray-visible diffuse reflectance spectroscopy,UV-Vis DRS)结果显示负载GQDs可以有效提升Si NWs对光的吸收效果。

摘要：由于材料尺度的限制,微纳器件的制作工艺一般较为复杂。以ZnO,SnO2和石墨粉为原料,采用化学气相沉积(CVD)法成功制备出长度达厘米级别的分等级结构ZnO微米线。分别通过立体显微镜、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和X射线粉末衍射仪(XRD)对样品的形貌和结构进行表征。结果表明所制备的材料其一级结构为ZnO微米线,二级机构为四周均匀生长的ZnO微米短棒。设计制作出一种基于单根ZnO微米线的自供电传感器,并以乙醇为目标检测物进行敏感性能测试。结果表明:在不加外部电源的情况下,接触乙醇液体可以得到0.15 V的输出电压或25 nA的输出电流。