摘要：究竟何为广告创意的标准,恐怕国际国内至今都无法给我一个统一的答案。对于商业广告创意来说,今天的广告界有一种共识,好的创意是既能促销又具有艺术性的东西,它是一种独一无二的原则。

摘要：阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法。以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性。根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证。经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下GaAs MMIC的电路设计和仿真。

摘要：分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性。设计了频率在20GHz以下GaA8基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路，用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数。发现对截圆锥结构的通孔，用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36％。设计了一个14～18GHz、增益大于17dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路，验证了模型的准确性。

摘要：采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka波段GaN大功率、高效率功率放大器MMIC。该单片功率放大器包含三级级联放大电路,采用了Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入/输出阻抗均匹配至50Ω。电路在34～36 GHz下,饱和输出功率大于6 W,功率增益大于13 dB,功率附加效率大于15%,芯片尺寸3.5 mm×1.8 mm,与目前国际报道的最好水平相当。

摘要：采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压。在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率和效率的最佳匹配。测试结果表明,在14~16 GHz,功率放大器MMIC实现了饱和输出功率大于100 W,功率附加效率大于40%。该48 V Ku波段GaN功率放大器MMIC具有高电压、大功率、高效率的特点,具有广阔的应用前景。

摘要：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程,新陷阱模型可以更好地表征器件陷阱俘获和释放电子的不对称性。基于0.25μm GaN HEMT器件,进行了脉冲I-V、多偏置S参数、负载牵引仿真及测试,并对新模型进行参数提取和建模。经过对比仿真和测试结果发现,新模型的仿真结果与实测结果比标准ASM-HEMT模型更加吻合,说明新模型表征陷阱效应更加准确,提升了模型的准确性,进而提高GaN HEMT功率放大器设计仿真的准确性。

摘要：创意,是目前我国广告界非常流行的一个词,提起做广告,人们往往联想到它的奇恩妙想,有的甚至是新出常理、奇绝古今、妙到毫巅。但是广告创意并不是漫无边际、随心所欲的纵情发挥。虽说创意无定式,但在实际的操作中却有其必须考虑的基础性因素以及诸多方面的制约。目前,有一些广告作品从其创意来讲是天马行空式的臆想,以致漏洞百出,很值得我们进行分析与思考。

摘要：采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路稳定性,末级器件采用改进型电抗式Bus-bar总线合成匹配网络,在保证各路平衡性的同时,调整器件电压和电流波形,提高电路的输出功率和功率附加效率。测试结果表明,在34~36 GHz频带内,放大器MMIC的饱和输出功率达到40 W,功率增益达到18 dB,功率附加效率达到30%。该功率放大器可有效改善毫米波发射系统的信号传输距离和作用精度。

摘要：鲁棒分析桥接了软件分析与设计之间的鸿沟,是实现软件过程可追溯性的重要环节和不可或缺的技术,但其机理缺乏研究.研究了鲁棒分析的基本思想;解析了其内在机制;探索了鲁棒图中对象之间的交互机理,扩展了其交互规则;分析了鲁棒图的本质和在MDA软件范型中的建模作用,使得模型具有继承性、转化性和进化性.

摘要：概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.