摘要：设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼容,采用标准0.5μmCMOSLDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制.

摘要：研究了利用轻掺杂漏（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ，ＬＤＤ）结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ－区的注入剂量、长度及引入的串联电阻进行了优化设计。选用ＭＬＤＤ方案制造出击穿电压提高了１０Ｖ以上的ＭＯＳ器件，使２μｍ器件的工作电压从５Ｖ提高到１２Ｖ以上，只需放大栅电极多晶版。

摘要：采用虚拟制造技术对 0 .8μm双阱 LPLV CMOS工艺进行优化 ,确定了主要的工艺参数。在此基础上 ,对全工艺过程进行仿真 ,得到虚拟制造器件和软件测试数据 。

摘要：采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。

摘要：设计了一种CMOS智能温度传感器的前端电路,包括温度检测电路、基准电流源和自稳零放大器。通过分析垂直衬底PNP晶体管的非理想特性,提出了相应的减小温度检测误差的方法;设计了一个对电源电压和温度变化不敏感的基准电流源,为温度检测器件提供精确的偏置电流;通过自稳零放大器对检测到的微弱电压信号进行放大。整个电路基于上华0.6μm CMOS工艺实现,采用Hspice工具进行仿真。仿真结果表明,该电路检测温度范围从-55℃到125℃,检测精度在1℃以内。

摘要：　应用RESURF原理,设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术,分析比较了多种结构,对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造,得到NMOS和PMOS虚拟器件,击穿电压分别为350V和320V。

摘要：使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器。模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能。该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成。

摘要：4月22日,是第38个"世界地球日",作为主题活动的一项重要内容,中国观赏石科普丛书借机在北京举行首发。国土资源部有关领导、中国观赏石协会寿嘉华会长等出席。由中国观赏石协会组织编写、地质出版社出版的中国观赏石科普丛书首发四册,包括有《观赏石入门》、《观赏石鉴赏》、《观赏石采集、收藏、养护》、《观赏石与旅游》,它们融科学、文化、艺术、美学于一体。

摘要：事实表明,当今人类社会在开发大量的能源和矿产资源的同时,也给人类的生存与发展造成了相当威胁。事实同样表明,观赏石业的发展在满足人们的文化艺术需求的同时,对观赏石资源的浪费和生态环境的损害,也是不容忽视的。当"落实科学发展,推动绿色矿业"成为生态文明时代的必然选择时,我们观赏石业内同仁们应该清醒地认识到,迅速壮大的观赏石业必须摒弃粗放管理、粗放开发。