摘要：文章通过分析共源共栅功率放大器的基本原理,提出了一种新颖的基于cascode级间电路结构,通过优化电路级间的阻抗匹配的设计思路。同时采用55 nm RF CMOS硅基工艺设计并制作出一款工作于Ka频段的功率放大器。与传统的CMOS功率放大器相比,具有高增益、低功耗、高功率等特点。经过实物加工及裸片测试,结果表明设计的功率放大器在工作频率为27~32 GHz时,小信号增益为19~20 dB,输出1 dB压缩点为12 dBm,最大饱和输出功率为15 dBm,最大功率附加效率为21.5%,该放大器芯片尺寸为780μm×710μm。

摘要：为了满足在K/Ka频带下设计硅基芯片电路时对器件模型精确测试的要求,文章分析了实现精确校准的硅基芯片TRL校准技术。根据TRL校准原理设计并制作了相应的校准件,用去嵌入的方式提取了片上电感、电容模型。在20 GHz~ 30 GHz高频应用中,验证了模型的准确性。实际测试结果表明该校准件达到了预期效果,仿真值与实测值拟合一致性好。

摘要：分析了单片数字移相器的移相原理，详细介绍了每一个基本移相位的设计方法及结构，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺技术设计并制作了一款超宽带6bit数字移相器。采用ADSMomentum微波设计环境进行了电路仿真，在中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs工艺线上进行了工艺流片并进行了在片测试。测试结果表明，6bit数控移相器在工作频率为8—12GHz时，主要移相态的均方根相位误差（RMS）值小于2．0°，回波损耗小于一11dB，插入损耗为8．0～9．5dB，插损波动为-0．5～0．8dB，控制电压为-5V／0V。6bit数字移相器的电路尺寸为4．1mm×1．5mm，并行输入控制信号，其有效工作带宽达到了40％。

摘要：分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC～2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB;小于±0.8 dB@8 dB～32 dB;小于±1.3 dB@48 dB～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。

摘要：河道洪水反向演算在河库联合调度和推求设计洪水的区间组成等方面具有重要意义,直接使用传统的马斯京根法反演效果较差。基于河道上下断面洪水的非线性关系,采用BP神经网络模型训练历史洪水,并用训练得到的网络对下游洪水进行反演。实例应用结果表明,该模型反演结果与实际洪水过程更为接近,具有一定的精度和实用性。