摘要：简要介绍了相干布局数囚禁(CPT)原子钟的机理,分析了典型的CPT原子钟的系统构成。在此基础上,针对CPT原子钟的特点,以Rb原子钟为设计对象,设计并制作了一种可出射稳定激光频率并能与其他CPT原子钟相兼容的光源系统。该光源系统采用热电致冷器(TEC)对激光器进行温度控制,利用直接数字频率合成(DDS)技术和锁定放大(LIA)技术实现激光器光频稳定。测试结果表明,光源系统温度对波长的控制精度为0.001 2 nm,在此条件下,系统可以很好地完成激光光频的锁定。

摘要：针对片上部署非线性激活函数产生的精度损失以及硬件资源开销大的问题,提出一种基于三分法指数方法的多模态高精度非线性激活函数协处理器设计.首先分析激活函数在不同拟合参数下的近似误差以及运算量,为设计提供指导;然后设计一种模块化的硬件框架,通过复用指数、对数、sigmoid模块并结合浮点计算单元,能够以较低的面积开销部署多种激活函数.在Xilinx的Vertix系列FPGA上完成原型测试,实验结果表明,在仅增加32个查找表的情况下,所提设计tanh和sigmoid的近似误差仅为2项拆分指数方法的65.02%和69.00%,同时拟合范围扩大60%;与高精度分段线性逼近方法相比,该设计在仅用4%的查找表数量的情况下,将近似误差缩小82%.

摘要：以金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备生长的4片蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管(LED)外延片为样品,对氮化镓基LED的发光性能的影响因素进行了对比分析.采用场发射扫描电子显微镜(FSEM)观测湿法腐蚀前后的样品表面缺陷形貌,用X射线衍射(XRD)检测样品的晶体质量,通过室温光致荧光光谱(RT-PL)及光学积分球对样品的发光特性进行了测量和分析.结果表明:结构设计对提高LED发光性能的影响大于晶体质量的影响,优化LED光学、电学结构是提高氮化镓基LED发光性能的关键手段.

摘要：随着大功率直流电源的频率和功率密度不断提高,散热设计变得愈加关键。大功率电源内部热量高,易造成局部温度过热,导致元器件损坏,进而使电源不能正常工作。以一台80 V/62.5 A的高功率密度直流电源为研究对象,首先介绍了所用电路拓扑,分析其关键器件的损耗,确定主要热源,对电源内部进行结构设计,并利用热仿真软件建立热分析模型,对散热器几何参数进行优化仿真,最后通过实验验证了仿真模型的正确性,有效降低了直流电源箱体内部温度,提高了电源工作的可靠性。

摘要：热式质量流量传感器是在层流的条件下,通过加热电阻周围温度分布的变化来反映气体流量.本文通过在流道中设计内部小流道,把流速测试段的流态变为层流,并模拟了整个流场的的速度分布,在流速测试段得到比较理想的雷诺数Re≈12-110.在小流道测试段的流速与内燃机进气管的平均流速成一固定比例系数,因此,通过测试小流道内的流速可以获得内燃机的进气量.通过模拟分析得到了在恒温加热的条件下,不同流速下的温度分布,从而获得不同流速下,测试点的距离与温度差的关系曲线,并找出了相应测试点的测试范围,最终获得了温差最大值对应的测试距离为140-210 m.通过在加热电阻两端设计了两对测温电阻,得到叠加信号对应最大流速精度为0.02 m/s.

摘要：为了解决双波长测温不同波长的变换和精确定位测量的问题,设计了一种基于单片机的变换结构,利用电机匀速反馈控制电路和单片机周期捕获功能,准确跟踪和定位采样位置。基于这种结构提出了一种双波长测温法的暗电流电压修正方法,大大提高了测量的精度。通过实验使用设计的测量结构拟合出双波长温度测量函数,测量精度在1℃之内。

摘要：为了研究真空腔体环境中O型圈和燕尾槽结构的密封性能和密封作用面位置,首先介绍了O型圈在腔体密封中的广泛使用的现状,以及在MOCVD设备中的使用,接着介绍O型圈密封机理和失效准则,最后使用SolidWorks商用软件对其进行建模分析。文章最后验证O型圈和燕尾槽结构的密封作用面位置能够起到良好密封作用,并且密封作用面为法兰上下面,为加工密封法兰提供指导。

摘要：介绍了国内外陶瓷材料加工方法研究概况,提出一种微波辅助切削加工陶瓷材料的新方法。该方法利用微波加热使陶瓷材料在较高温度下塑性化,从而获得到较好的加工性。介绍了微波加工试验样机的设计方案,包括微波电路图、刀具与微波天线一体化结构等。

摘要：提出了一种用于MEMS器件真空密封的电阻熔焊方法。低泄漏率是MEMS器件真空密封的关键因素之一。通过研制的真空电阻熔焊机,设计带缓冲腔的封装外壳,实现了MEMS器件真空密封。试验结果表明,封装好的器件具有长时间真空保持性。

摘要：许多MEMS元件需要在真空条件下才能保持良好的性能,采用真空电阻凸焊技术可以达到相当好的真空密封效果。真空电阻凸焊预压阶段采用不同凸焊筋角度和不同预压力对凸焊最终质量都有很大的影响。根据MEMS元件凸焊的具体情况,建立了一个二维有限元凸焊模型,通过对不同预压力和不同角度凸焊筋顶角的有限元接触分析,得出不同预压力和凸焊筋顶角的凸焊筋塑性变形和接触压力分布状况等结果,并通过分析结果得出预压力和凸焊筋顶角对预压变形和接触应力分布的影响规律。文中的结果为凸焊机理研究和MEMS元件凸焊封装外壳的优化设计打下了良好的基础。