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杨教授视点智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响（中）: 收藏
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引用; 《变频器世界》2010年第5期 22-23页; 作者：JUN WANG ALEX Q. HUANG WOONGJE SUNG YU LIU B. JAYANT BALIGA 张永鑫（译）田书欣（译）杨喜军（译）姜建国（译）; 15-kV SiC IGBT的设计与优化图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×10^17c...; 15-kV SiC IGBT的设计与优化图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。; 来源：详细信息评论

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