摘要：基于同步信号设计了一种可实现相互之间高压隔离的IGBT多路延时驱动电路系统,并应用到Marx电路中,实现了可柔性调节的阶梯型脉冲高压输出。试验结果表明,延时驱动电路可实现最大30μs的延时,且具有IGBT驱动电压欠压保护、自给反向栅压等功能,同时场效应管的存在抑制了栅射极电压振荡。驱动信号高压隔离变压器为单原边多副边结构,简单紧凑,通过副边数目的增减,可驱动不同级数的Marx电路,具有扩展性好的优点。过流保护电路反应速度快,IGBT关断可靠,可在2μs之内抑制短路电流继续上升。该驱动电路应用于10级的Marx电路中,实现了峰值电压10 kV,脉冲宽度30μs,最大电压阶数10阶的脉冲高压输出。

摘要：对于等离子体浸没离子注入 (PIII)技术 ,球形靶鞘层尺度预测对真空室设计、批量处理研究等是十分有用的。但由于球形靶鞘层Child Langmuir定律数学表达的非线性使得工程应用较为困难。本文对球形靶的鞘层尺度进行了数值求解、讨论了注入参数对鞘层尺度的影响。计算结果表明 ,鞘层厚度 (包括离子阵鞘层和稳态鞘层 )随球体半径或注入电压增加而增加 ,随等离子体密度增加而减小。但对于不同的参数区间 ,鞘层特性对参数的变化表现出不同的敏感性。当等离子体密度较高、注入电压较低时 ,稳态鞘层厚度对于靶体半径的变化极不敏感。相反鞘层厚度对靶体大小变化较为敏感。虽然平面靶与球形靶的离子阵鞘层尺度比值与等离子体密度及球体半径有关 ,但平面靶稳态鞘层尺度总是大于球形靶的。这对于实际的PIII应用具有重要的指导意义。

摘要：磁控溅射技术在薄膜制备领域广泛应用,电源是磁控溅射镀膜的关键设备之一。本文介绍了全桥逆变直流磁控溅射电源主电路和控制电路的设计,该电源输出功率2 kW,采用PI恒流控制,具有过流保护。通过阻性负载测试表明电源具有很好恒流特性,在输出功率超过400 W时电源效率比较高。利用氮气/氩气不锈钢靶直流磁控溅射实际的等离子体负载测试表明:在保证真空室内压力不变的前提下,随着氮气比例的增加,电压下降,但电源恒流效果好,工作稳定。

摘要：触头是低压电器的执行元件,其焊接质量直接决定了整个电器的运行可靠性和使用寿命.使用电阻焊的方法对DZ-47电触头进行焊接,分析了焊接电流、焊接时间及电极力对触头剪切力的影响规律,并对焊接界面的组织形态及元素分布进行了研究.结果表明,在合理的工艺条件下,电阻焊焊接触头是可行的.此外,由于焊接过程中电磁力和电气触头结构设计的因素,即使在相同工艺参数下焊接的触头不同方向的界面扩散层厚度和元素扩散量都不相同.

摘要：采用超声波焊接技术焊接摩磁ABS塑料壳体,扼要介绍了壳体结构、焊接工具头设计和焊接参数对接头的影响并成功地焊接了产品.

摘要：对聚乙烯医疗器具进行了超声波焊接,设计了具有合适振幅放大比的工具头满足了振幅要求.试验结果表明:在一定的焊接振幅条件下,尽量采用较小的焊接压力及焊接时间可以获得较好的综合质量.为保证焊件的外观质量,采取了垫纸及焊头端面合适圆滑过渡等措施.

摘要：采用非平衡磁控溅射阴极在镀膜区间构建闭合磁场已经成为设计开发磁控溅射真空镀膜系统的通用手段,然而闭合磁场具体的作用对象、作用机制、闭合条件、布局逻辑以及作用效果等仍没有定量的判定标准或设计依据.本文从带电粒子在磁场中的运动出发,推导了真空室内电子与离子运动行为,得出闭合磁场的作用机制,并依此研究了磁控溅射阴极和离子源布局方式对电子约束效果和沉积效率的影响.结果表明,闭合磁场在真空室中主要通过约束电子来约束等离子体,进而减少系统内电子损失;阴极数量和真空室尺寸对闭合磁场的作用效果有重要影响.提出在真空室中央增加对偶离子源,研究了闭合磁场中阴极类型、旋转角度和磁场方向对电子的约束作用,发现当离子源正对阴极相斥或相吸时,真空室内分别形成了局部高密度和均匀连续的两种等离子体分布特征,边缘电子溢出比均低于3%,镀膜区的电子占比相对无对偶离子源时分别提高到53.41%和42.25%.

摘要：设计加工了空心阴极真空电弧焊枪,以Q235钢为例,试验研究了工艺参数对空心阴极真空电弧焊接熔化深度的影响规律,分析了熔化特性.结果表明,与TIG焊接接头相比,空心阴极真空电弧焊缝熔化深度显著增加,热影响区窄;空心阴极真空电弧在低气体流量、大电流时具有收缩型电弧形态;低气体流量时空心阴极真空电弧电压较高;随着气体流量的降低及焊接电流的增加,空心阴极真空电弧的焊缝熔化深度、宽度及深宽比增加,焊缝表现为深熔化特征的中心熔化型焊缝形貌;一定气体流量下,阴极与阳极之间的放电距离对空心阴极真空电弧焊缝熔化深度的影响不显著.

摘要：根据多年的实际研究工作,对超声波塑料焊接过程中的噪音产生及控制进行了总结研究。超声波焊接通过高频机械振动来获得焊接过程,当声学系统或工件体系设计不合理时将会产生噪音。文中对防止和降低超声波塑料焊接中的噪音提出了合理的建议。

摘要：形核是HFCVD金刚石薄膜沉积的重要阶段,对金刚石薄膜质量至关重要。为实现金刚石薄膜在微细硬质合金刀具表面的高质量形核,选取了形核过程中的几个核心参数:热丝功率(Pf)、碳氢比(X)以及形核气压(p),设计了三因素三水平正交实验,采用SEM形貌分析、拉曼光谱分析以及EDS能谱分析等对形核尺寸、表面覆盖率和形核质量进行了研究。实验结果表明,热丝功率对形核尺寸和形核速率的影响最大,形核气压的影响最小,而对沉积质量影响较大的为热丝功率和形核气压,碳氢比的影响则最小。实验得到的最佳形核参数为:Pf=2000W,X=2.0%,p=1400Pa。