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基于MOS场效应晶体管的高精度可变电阻器: 收藏
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引用; 《物理与工程》2021年第6期31卷 50-56,62页; 作者：霍显杰田力学李永刚李颖弢兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000; 本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之并联的电阻是否接入电路,电阻逐个使用2^(n)Ω。基于电阻分压定律,微控制器(MCU)控制电压控制的电压源(VC...; 本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之并联的电阻是否接入电路,电阻逐个使用2^(n)Ω。基于电阻分压定律,微控制器(MCU)控制电压控制的电压源(VCVS)的电压来等效模拟电阻分压以达到模拟电阻的目的,本设计引入了比例积分PI控制,很好地消除了误差电阻的影响,提高了电阻精度,且具有良好的抗干扰性能和温度补偿性能。相较已有的一些变阻器,该变阻器具有体积小、精度高、易集成和电阻连续可控等优点,可以广泛应用于电路设计、通信工程、控制工程等领域,在大学物理实验中亦有广泛的用途。; 来源：详细信息评论

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