摘要：优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6800 V,器件的巴利加优值(BFOM)达到925 MW/cm^(2)。基于感性负载测试电路测试了器件的高压开关瞬态波形。在此基础上,借助仿真软件构建6.5 kV SiC MOSFET芯片级和器件级仿真模型,通过改变器件元胞结构、阱区掺杂浓度、栅极电阻、寄生电感等参数,研究了6.5 kV SiC MOSFET开关瞬态过程和电学振荡影响因素。结果表明,减小结型场效应晶体管(JFET)宽度有利于提高器件dV/dt能力,而源极寄生电感和栅极电阻是引起栅极电压振荡的重要因素。研究结果有助于分析研究6.5 kV SiC MOSFET在智能电网应用中的开关特性,使得基于SiC MOSFET的功率变换器系统具有更低的损耗、更高的频率和更高的可靠性。

摘要：目的 观察siRNA干扰质粒转入铜绿假单胞菌后,MexB蛋白表达量的变化.方法 针对mexB基因设计合成特异性siRNA分子,与pGPU6/GFP/Neo载体连接,构建pGPU6/GFP/NeosiRNA重组质粒.构建重组表达质粒pET22b＋/mexB,并转化大肠杆菌BL21（ DE3） plysS,诱导表达MexB蛋白,蛋白纯化后免疫家兔制备多克隆抗体.siRNA质粒分别电转化铜绿假单胞菌野生株、临床耐药株及mexB基因高表达株,运用Western blot观察转化8、12、24h后MexB蛋白表达量的变化.结果 成功构建pGPU6/GFP/Neo-siRNA重组质粒.成功表达铜绿假单胞菌外排泵蛋白MexB,并制备多克隆兔抗.siRNA质粒对铜绿假单胞菌野生株、临床耐药株及mexB基因高表达株的mexB基因均具有良好的沉默效果,而且沉默效果存在时间差异性.结论 siRNA质粒转化3株铜绿假单胞菌后,在8h及12 h时均可观察到MexB蛋白表达量明显减少,而在24 h时MexB蛋白表达量无改变.

摘要：目的初步研究siHybrids技术对铜绿假单胞菌野生菌PA01外排泵mexB基因体外沉默效应。方法针对铜绿假单胞菌野生株PAOI外排泵mexB基因设计并合成3条特异性silly—brids分子和l条阴性对照siHybrids分子。在分子浓度为50nmol／L下，分别以合成的siHybrids分子干扰铜绿假单胞菌野生菌PA01，并设实验组为铜绿假单胞菌野生菌PA01空白对照组，阴性对照组scamble（SC）-001，干预组siHybrids（si）-001、siHybrids（si）-002及siHybrids（si）-003，分别在干预12h及24h后采用***法检测各实验组中靶基因mexB基因mRNA的表达水平。进一步采用Mueller-Hinton倍比稀释法检测50nmol／L浓度下，siHybrids分子干预铜绿假单胞菌野生菌PA01前后氯霉素（CP）、红霉素（EM）、左氧氟沙星（L-OFLX）、头孢他啶（CAZ）、美洛培南（MER）的最小抑菌浓度（Mm）值。结果不同siHybrids分子干预PA0112h后，mexB基因mRNA表达量无明显差异性；但干预24h后，mexB基因mRNA表达量：干预组（si-001，si-002，si-003）比空白对照组、阴性对照组（sc-001）有明显下降。对比干预12h、24h后mexB基因mRNA表达量，可以发现空白对照组、阴性对照组（sc-001）mRNA的表达量成上升趋势，而干预组（si-001，si-002，si-003）mexB基因mRNA表达量均呈下降趋势。siHybrids分子在干预铜绿假单胞菌野生菌24h前后的氯霉素（CP）、红霉素（EM）、左氧氟沙星（L—OFLX）、头孢他啶（CAZ）、美洛培南（MER）MIC无明显差异性。结论在mRNA表达水平上，siHybrids分子能体外干预铜绿假单胞菌PA01mexB基因mRNA表达，此种沉默作用呈现时间依赖性，且在24h能有效地发挥干预作用。