摘要：基于梯度风假设,提出一种新的台风气压场风场模型,并通过C#语言编程构造了气压场风场数值模型;将提出的数值模型运用于台风Damrey、Krovanh和Matsa的模拟中,将模拟气压场和风场数据通过Tecplot展示,结果表明:模拟气压场风场符合现阶段对台风的认识规律。

摘要：随着金沙江上游梯级水库的建设运行,高坝泄洪导致的总溶解气体(TDG)过饱和问题较为突出,且不同泄洪强度下,过饱和TDG在深水水库中的输移特性尚不明晰。采用原型观测和立面二维数学模型相结合的研究手段,分析了不同泄洪强度情景下溪洛渡-向家坝区间过饱和TDG输移规律。结果表明:溪洛渡水库泄洪流量与泄洪时长驱动向家坝库区过饱和TDG输移衰减过程,过饱和TDG输移速率随泄洪流量及泄洪时间增大而加快,最快可达21.25 km/d;溪洛渡水库泄洪流量增加导致库区内部累积的过饱和TDG总量增加,衰减速率降低;在设计工况背景下,过饱和TDG衰减速率随泄洪时间增加而降低,当溪洛渡水库持续泄洪约24 h后,向家坝库区TDG过饱和状态趋于稳定,衰减速率最低仅为0.74%/d。

摘要：向家坝水电站表孔、中孔工作弧门泄洪处于局开控泄状态,对闸门的安全运行不利。表孔工作弧门采用三支臂设计,面板半径达到了30 m;中孔工作弧门门叶沿中部纵向分成左、右两节对称制作,中间通过螺栓连接。特殊的体型设计及非常规的运行状态需加强其运行安全研究。在374.45 m水位下对3、4号表孔,1、5号中孔工作弧门由全关到全开振动响应参数进行了观测,结果表明整体属于微小振动。该水位条件下表孔工作弧门振动较大区间在6~10 m,中孔工作弧门振动较大区间在8~10 m。同时对以往原型观测数据进行了整理、对比分析,向家坝运行近10年来工作弧门振动响应参数量级基本一致,闸门运行平稳,观测成果可为同类型闸门提供参考借鉴。

摘要：对高拱坝深孔小开度泄流时,薄水舌、大落差条件下的水力特性及对水垫塘底板结构影响进行分析。通过水力学规范公式、刘培清等人总结的经验公式对不考虑空气阻力、掺气作用时的临底水力特性进行分析;并考虑水气两相作用,采用数值模拟方法对比研究薄水舌、大落差条件下,空气对水舌的阻力及掺气作用,分析临底水力特性及结构影响,为通过坝身孔口实现水垫塘反充水的思路提供支撑,为类似研究和工程应用提供借鉴和参考。

摘要：从德意志联邦银行看欧洲中央银行货币政策传导机制欧洲中央银行从框架设计上尽管参照了西方其他国家中央银行的制度和经验，但主要是以德意志联邦银行的操作模式为蓝本，二者在组织结构、货币政策目标、工具、独立性设计等方面都颇为相似，了解德意志联邦银行货币政策传导...

摘要：Emerging quantum dots(QDs)based light-emitting field-effect transistors(QLEFETs)could generate light emission with high color purity and provide facile route to tune optoelectronic properties at a low fabrication *** efforts have been devoted to designing device structure and to understanding the underlying physics,yet the overall performance of QLEFETs remains low due to the charge/exciton loss at the interface and the large band offset of a QD layer with respect to the adjacent carrier transport ***,we report highly efficient QLEFETs with an external quantum efficiency(EQE)of over 20%by employing a dielectric-QDs-dielectric(DQD)sandwich *** DQD structure is used to control the carrier behavior by modulating energy band alignment,thus shifting the exciton recombination zone into the emissive ***,enhanced radiative recombination is achieved by preventing the exciton loss due to presence of surface traps and the luminescence quenching induced by interfacial charge *** DQD sandwiched design presents a new concept to improve the electroluminescence performance of QLEFETs,which can be transferred to other material systems and hence can facilitate exploitation of QDs in a new type of optoelectronic devices.