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微波混合电路的静电防护
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《通讯世界》2022年 第3期29卷 136-138页
作者：李保第 范国莹 白红美 王朋 宇文耀民 付兴辰中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄0510051 
为了减少封装过程中静电对微波混合电路中敏感芯片造成的损伤,本文针对高电子迁移率场效应晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)制备工艺中的氮化镓功率放大器和砷化镓低噪声放大器两种典型微波混合电路,从产品的防静电设...
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