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变螺旋角内螺线电解加工计算机仿真系统研究
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《机械制造》2010年 第6期48卷 43-45页
作者:沈长清 石中文首钢水城钢铁(集团)有限责任公司动力厂贵州六盘水553028 重庆韬瑞科技有限责任公司重庆400020 
变螺旋角内螺线电解加工需要通过试验反复修正阴极,研制周期长,试验难度大。采用OpenGL三维图形标准在Visual C ++编程环境下,开发计算机仿真系统,绘制阴极工作齿三维图形,利用专家系统提供的加工参数,实现对阴极运动轨迹及加工过程的仿...
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水钢动力厂鼓风机自动化系统改造
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《自动化仪表》2005年 第12期26卷 61-63页
作者:向剑 石中文水城钢铁集团公司动力厂六盘水553028 重庆韬瑞科技有限责任公司重庆400020 
介绍了水钢动力厂高炉鼓风机自动化系统的改造,并详细阐述了该控制系统的设计思想、系统组成、功能特点和应用软件开发,及系统运行情况。体现了三电一体化系统在功能分配上的分级分层次结构,通过改造实现了高炉鼓风流量的自动调节和安...
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基于车载视频的前方车速检测实验设计与实现
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《实验室科学》2024年 第1期27卷 35-39,44页
作者:许超 徐晓楠 奥博 中文辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 辽宁大学司法鉴定研究院辽宁沈阳110036 辽宁大学信息学院辽宁沈阳110036 
针对车辆速度鉴定的真实问题,学生创新小组依托OpenCV和python软件,应用机器学习技术自主设计了一款基于车载视频的车辆速度检测系统,实现了车载视频前方车辆的速度鉴定。实验结果表明,该车速检测系统能够针对车载视频进行有效、准确地...
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低压VDMOSFET'Ron的最佳比例设计研究
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《微电子学与计算机》2002年 第12期19卷 56-58,36页
作者:广源 孙正地 高嵩 中文 张颖辽宁大学沈阳110036 西安微电子技术研究所西安710054 
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P?体扩散区结深Xjp?和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最...
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低阻VDMOSFET的优化设计与制造
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《微电子学与计算机》2003年 第9期20卷 58-59,78页
作者:广源 罗华 高嵩 中文 阎冬梅辽宁大学沈阳110036 哈尔滨学院物理与电子工程系哈尔滨150086 
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这...
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单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化
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《微电子学与计算机》2008年 第2期25卷 114-118页
作者:高嵩 广源 中文辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 
基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方...
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30伏P沟VDMOS场效应管的设计
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《辽宁大学学报(自然科学版)》2007年 第3期34卷 214-217页
作者:中文 胡雨 广源辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 
对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间...
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无线通信领域中自动增益控制电路的研究
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《辽宁大学学报(自然科学版)》2007年 第1期34卷 15-17页
作者:中文 孙延辉 广源辽宁大学物理系辽宁沈阳110036 
分析了自动增益技术原理,以及实现自动增益控制(AGC)电路的两种基本方法,概括了这两种方法在噪声和线性方面的区别.并给出了它们各自三阶互调失真的表达式,最后又对AGC放大器和乘法器进行了分析和比较.通过对AGC基本电路的分析和比较,...
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一种基于NMOS差分对四象限模拟乘法器
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《辽宁大学学报(自然科学版)》2010年 第4期37卷 339-342页
作者:中文 宫在君 马芳 广源辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 中国刑警学院基础部辽宁沈阳110035 
设计了一种主要基于NMOS差分对四象限模拟乘法器.该乘法器采取以电压的形式输出而不适用电阻.利用基于smic0p18um EEROM 2P4M SPICE模型进行仿真,采用单电源3.3V供电.使用Spectre进行仿真并给出了仿真结果.
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