摘要：给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。同时，利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论，指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种。

摘要：本文从温控晶闸管结构模型出发,建立一组相应的方程,获得了温控晶闸管导通温度与离子注入剂量的关系。通过精确控制离子注入剂量,器件可以获得预期的导通温度。

摘要：对注入光敏器件进行了分析，所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的，并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大ｐｎ结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率，其原因是开路ｐｎ结“注入电流”被抽取的机理难以实现。