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光子晶体膜制备工艺对其性能的影响: 收藏
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引用; 《真空科学与技术学报》2015年第7期35卷 902-907页; 作者：赵亚丽张青翠李克训魏学红石其禄中国电子科技集团公司第三十三研究所山西省重点实验室太原030006 山西大学化学与化工学院太原030006 中国电子科技集团公司第三十三研究所电磁防护与器件事业部太原030006; 针对电磁兼容材料高屏效和高透光相互制约的技术难题,本文设计了以ITO/Ag为周期的光子晶体膜。本文着重分析了制备工艺对其屏蔽效能、透光率和导电性能的影响。研究结果表明,随着氧氩比的增加,透光率和导电性提高,屏蔽效能相应降低。而...; 针对电磁兼容材料高屏效和高透光相互制约的技术难题,本文设计了以ITO/Ag为周期的光子晶体膜。本文着重分析了制备工艺对其屏蔽效能、透光率和导电性能的影响。研究结果表明,随着氧氩比的增加,透光率和导电性提高,屏蔽效能相应降低。而在无氧的条件下沉积Ag膜,可避免在高频下屏蔽效能的降低。随着沉积温度的提高,金属Ag膜变粗糙,屏蔽效能和透光率明显降低。通过对室温沉积光子晶体膜进行高温退火,光子晶体膜的结晶度、透光率和屏蔽效能都相应提高。这种光子晶体具有高屏效和高透光的双重性能,在电磁屏蔽可视领域具有较好的应用前景。; 来源：详细信息评论

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