摘要：利用生物技术方法将固氮模块转入真核细胞实现真核生物自主固氮具有重大科学意义和应用价值,迄今为止始终未能获得具有自主固氮能力的真核生物。为了探究固氮模块在真核底盘中的表达适配性,以进化地位介于原核生物和真核生物之间的极端微生物耐辐射异常球菌(Deinococcus radiodurans)R1为底盘,将类芽孢杆菌(Paenibacillus polymyxa)WLY78的固氮模块导入耐辐射异常球菌中获得重组耐辐射异常球菌R78,并利用qPCR(quantitative real-time PCR)和Western Blot等方法,同时结合转录组分析,对重组耐辐射异常球菌的表达特性进行探究。结果表明,重组耐辐射异常球菌固氮模块中的9个固氮基因均能够正常转录,但是固氮酶铁蛋白的翻译受到影响;转录组测序结果显示,参与能量传递、氮代谢以及铁硫转运的相关基因的表达变化可能是影响重组菌株中固氮酶表达的限制因子。以上研究结果为进一步的固氮模块设计和微生物底盘优化,并最终构建人工高效固氮装置奠定了理论基础。

摘要：从刘老涧泵站运行中存在的主要问题出发,泵站改造采用水泵叶轮直径不变,转速减小,改善水泵的空化性能,对关键支撑部位、水泵轴与叶轮座连接形式和水泵叶片固定方式等进行了改造,有效减小了水泵叶轮的运行摆度和不稳定性,并选用流量系数较大的水力模型以满足流量的要求,提出泵站水力机械设计的合理改造措施。

摘要：针对规模化养殖场生产的消毒防疫过程中出现的由人为因素造成的消杀不彻底、不充分的问题,设计规模化养殖场智慧消毒防疫系统,对规模化养殖场的消毒防疫环节进行物联网化,将消毒防疫所需设备进行组网上云,从而实现对规模化养殖场的消毒防疫环节的精准把控。系统以PHP编写语言、MySQL数据库、B/S结构为基础,由数字孪生、传感器、ZigBee节点、ZigBee协调节点、智能网关、手机终端、PC端、摄像头等部分组成,实现了规模化养殖场消毒防疫环节物联网化的功能设计与实践。

摘要：平面钢闸门结构简单,抗压能力强,可靠性高,经久耐用,因此在水利工程中应用广泛。平面钢闸门漏水现象普遍存在,多年来一直未得到有效解决,通过阐述漏水的危害性,在比较平面钢闸门主要止水结构型式优缺点的基础上,对漏水原因进行全面系统分析,从设计、施工、调度、维护保养和新型止水结构探索等方面提出处理闸门漏水的有效措施,具有一定的借鉴意义。

摘要：为研究水分调控对设施栽培下白菜肥料氮素利用的影响,采用15N稳定性同位素示踪技术,设计不同施氮量(115 kg/hm^2和230 kg/hm^2)及不同土壤水分控制下限(分别占田间持水量60%、70%和80%),分析不同水氮处理下白菜各器官生物量累积、氮素利用及其与影响因子之间的互动响应关系。结果表明,水分调控和氮肥施用存在协作效应,该协作效应在根系生物量上的作用尤为明显;同时,在230 kg/hm^2施氮量处理下,水氮协作效应对叶生物量累积影响显著;115 kg/hm^2施氮量条件下,白菜氮肥利用效率明显高于相同水分控制条件下230 kg/hm^2施氮量处理;115 kg/hm^2和230 kg/hm^2施氮量均以70%水分控制下限氮肥利用效率最高,分别达到60.1%和49.9%;氮肥利用效率与15N投入量呈极显著负相关(r=-0.988),与根系生物量呈极显著正相关(r=0.948)。实际生产中,推荐以70%土壤水分控制下限作为白菜高效利用氮肥(尿素)的水分控制指标。

摘要：智慧工地系统利用BIM、GIS、物联网、互联网等信息化手段,实现对工程建设的全生命周期管控,旨在提升管理效率、降低管理成本。5G技术的迅猛发展,推动物联网技术进步,为万物互联奠定了基础,基于BIM+GIS的智慧工地管理系统也在铁路工程建设应用中日趋成熟。提出铁路智慧工地5G应用场景和技术架构,并针对无人机与三维激光扫描实时交互关键技术展开研究,对智慧工地的技术升级具有指导意义。

摘要：基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20~80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失。SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小。利用计算机辅助设计工具(TCAD)开展SiC MOSFET的单粒子效应仿真,结果表明,重离子从源极入射器件时,具有更短的SEB发生时间和更低的SEB阈值电压。栅-源拐角和衬底-外延层交界处为SiC MOSFET的SEB敏感区域,强电场强度和高电流密度的同时存在导致敏感区域产生过高的晶格温度。SiC MOSFET在栅压偏置(U_(GS)=3 V,U_(DS)=0 V)下开展钴源总剂量效应实验,相比于漏压偏置(U_(GS)=0 V,U_(DS)=300 V)和零压偏置(U_(GS)=U_(DS)=0 V),出现更严重的电学性能退化。利用中带电压法分析发现,栅极偏置下氧化层内的垂直电场提升了陷阱电荷的生成率,加剧了阈值电压的退化。中子位移损伤会导致SiC JBS二极管的正向电流和反向电流减小。在漏极偏置下进行中子位移损伤效应实验,SiC MOSFET的电学性能退化最严重。该研究为空间用SiC器件的辐射效应机理及抗辐射加固研究提供了一定的参考和支撑。