摘要：文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作。通过链路分析结合管芯线性模型、非线性模型和噪声模型设计的低噪声放大器采用1∶1∶1∶2的级联推动比。通过电磁软件仿真,在确保较低功耗的同时,提高线性增益,并实现噪声系数和1 dB压缩点输出功率的良好匹配。对所设计的W波段低噪声放大器芯片进行在片测试和装盒测试,在漏极电压+5 V,栅极电压-0.7 V的测试条件下,静态工作电流为50 mA。实测结果表明,在75 GHz~110 GHz,小信号增益为21dB,噪声系数3.5dB。芯片的尺寸为2.3mm×1.5mm×0.05mm。所研制的W波段低噪声放大器芯片在保持优异噪声性能的同时实现了宽带高增益,为新一代毫米波通信系统及高端仪器仪表提供了关键器件支撑。

摘要：基于混合集成的方式,采用对称锥形渐变线匹配结构设计了335 GHz非平衡式三倍频器。在保证单模传输的条件下,该匹配结构不仅能够固定二极管位置,而且可以增大匹配效果,解决了高频段倍频器3 dB带宽较窄的问题。实测结果表明,该倍频器在330~356 GHz频率范围内输出功率均大于5 mW。驱动功率为220 mW时,有最高输出功率11.2 mW,由它作为核心器件组成的固态太赫兹本振源,能够驱动超外差接收机中670 GHz二次谐波混频器。