摘要：ns-200中子发生器采用的是高频离子源,面临着提高离子源的性能,增大引出束流的技术改造问题。为此开展了高频离子源的设计研制工作。高频离子源采用管道式引出结构和三圆筒单透镜聚焦系统。根据设计指标要求和离子光学原理,经过计算和优化,确定了引出系统和聚焦系统的主要参数。采用传输矩阵和束矩阵(σ矩阵)相结合的数值计算方法,运用LEADS软件模拟计算了束流传输过程,模拟计算的结果与理论设计相吻合。在ns-200中子发生器上进行了初步的实验,表明设计的高频离子源束流光学系统是合理的。

摘要：束流传输系统是中子发生器研制、调试和技改等工作顺利进行的重要依据。为此开展了中子发生器束流传输系统研究工作,阐述了传输系统光学特性和组成。以ns-200中子发生器为代表实例,详尽地分析了传输系统的组成和各光学透镜的特性。根据LEADS软件要求,生成该器束流传输系统数据输入卡,调用软件相应各光学元件计算模块,进行了模拟计算,给出了束流传输包络图。束流传输模拟计算结果与原设计要求基本一致。

摘要：在ns-200中子发生器上开展了束流脉冲化技术研究工作,采用正弦波速调管聚束方法设计了束流脉冲化系统,研制了高频电源系统、脉冲测量系统和远程自动控制系统。运用LEADS软件,进行了束流传输的模拟计算,并显示了束流传输包络曲线。整机安装调试获得了半高宽小于3.5ns、峰值电流大于1mA的聚束脉冲,束流稳定,各项指标达到技术要求。目前,已长期投入脉冲运行,完成了多个物理实验。

摘要：以正弦波速调管聚束理论为基础,详尽阐述了速调管聚束的具体实现方法,给出了相应的计算公式。实际应用该法,为NS-200加速器设计了聚束装置。

摘要：　阐述了正弦波速调管聚束理论及具体实现方法,给出了相应的计算公式。结合ns 200加速器的结构特点,运用该法确定了聚束装置的主要参数:聚束筒长度、等效漂移长度、聚束电压等,为ns 200加速器设计了聚束装置。将该装置安装于加速器,通过调试,获得了半宽为3.5ns的聚束脉冲,实现了纳秒脉冲运行方式。