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衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响: 收藏
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引用; 《天津理工大学学报》2012年第1期28卷 79-82页; 作者：王金飞薛玉明祝俊刚周凯谭炳尧张衷维李石亮裴涛汪子涵王一牛伟凯姜舒博杨醒蓝英杰天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司天津300457; 本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬...; 本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.; 来源：详细信息评论

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