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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备
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《传感技术学报》2006年 第5A期19卷 1415-1418页
作者:陈特超 禹庆荣 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志中国电子科技集团公司第四十八研究所长沙410111 
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
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基于CAN总线的光伏设备智能监控系统的研究与设计
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《计算机与现代化》2013年 第3期 148-151页
作者:曹骞 赵加宝 禹庆荣中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111 
针对国内晶体硅太阳能电池生产厂设备自动化程度低、管理分散以及生产效率低下等问题,本文提出一种基于CAN总线的光伏设备智能监控系统,用于对大批光伏设备实行统一管理和实时监控,以实现整线光伏设备的统一管理和自动化运行,提高生产...
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微波等离子体激发用大功率微波模式转换器
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《电子工业专用设备》2019年 第2期48卷 31-36页
作者:苏卫中 禹庆荣 杨彬 陈国钦中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111 
设计了大功率微波模式转换器,并采用两种工艺加工,分别利用低功率冷测和大功率热测实验对比了其性能。结果表明,导电氧化的加工件性能要明显优于老化件,其低功率冷测传输效率可达99.9%,返回损耗降低至-29.12 dB,大功率热测实验表明,采...
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国产集成电路装备验证线标准体系研究与设计
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《中国标准化》2023年 第10期 93-99页
作者:张冰 罗超 禹庆荣 菅端端 赵梦晗中国电子科技集团公司电子科学研究院 中国电子科技集团公司第四十八研究所 工业与信息化部电子第四研究院 
本文针对国内开展集成电路装备验证线技术研究、项目试点“靶场”建设等实际需求,详细分析了集成电路装备验证线的组成结构及其标准体系架构。依据国内外相关标准体系建设的现状,设计了涵盖通用基础、研制生产、产品、检测及评价等4个...
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平板式PECVD设备工艺腔加热系统的设计
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《电子工业专用设备》2019年 第2期48卷 28-30,54页
作者:杨彬 禹庆荣 苏卫中 李健志 谢利华 陈特超中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111 
根据太阳能PERC电池关键工艺设备——平板式PECVD设备的整体要求,介绍了其中工艺腔的加热系统设计,对加热功率进行了计算,控制方式进行了分析,通过优化设计,降低了设备的能耗,提高了温度均匀性。
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