摘要：在自行设计研制的先进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(小于等于550℃)制备多晶硅(poly-Si)薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响。通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数。

摘要：开发了一种新型线形同轴耦合大面积微波等离子体源,针对该新型等离子体源放电空间等离子密度及分布的不明确性,利用朗缪尔单探针法研究了不同放电参数下该等离子体源等离子体密度及空间分布情况。以微波功率,氢氩总流量(氢氩流量比为3∶1)和距石英管的距离Z为3个因素设计正交实验探究了宏观放电参量对等离子体参数的影响。测试结果表明该型等离子体源的电子密度均在1010cm-3以上。其次,诊断了在距石英管Z为14 cm处,等离子体参数沿空间水平的分布情况,探究薄膜的最佳沉积区域。最后,根据等离子诊断情况进行硅薄膜的沉积,由XRD结果表明薄膜为多晶结构,拉曼光谱显示沉积硅薄膜晶化率均在92%以上,沉积速率在8 nm/min。

摘要：在自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-EMOCVD)装置上生长氮化镓(GaN)薄膜,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,蓝宝石(α-Al2O3)为衬底。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、射线衍射实验数据分析,研究了ECR等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石(α-Al2O3)衬底的氮化作用,结果表明:在ECR等离子体中,不掺入氢气,温度较低时可以明显提高α-Al2O3衬底的氮化效果,获得平整的氮化层,且生长的氮化镓缓冲层质量是最好的。