摘要：机/车载多体制通信、测控、探测等多无线系统并存,天线林立,天线间耦合干扰严重,同时与高速机/车薄壁外壳共形的天线还需具有较强承载能力.本文设计了一种适于车壳共形的低剖面可承载双频共口径定向圆极化缝隙天线.天线主体采用开口缝隙的形式来实现天线的小型化和宽带设计,利用微带线来进行耦合馈电.通过在低频天线中心开槽嵌入高频天线,从而实现双频天线的共口径,并使用多馈法来实现圆极化.天线采用FR4介质填充,介质最大厚度为最低频率对应波长的5%.这种金属与介质的混合立体结构也大大增强了天线的承载能力.实测结果表明:在UHF波段,天线的阻抗带宽为75 MHz(0.303~0.378 GHz),轴比带宽为50 MHz(0.32~0.37 GHz);在L波段,天线的阻抗带宽为550 MHz(1.18~1.73 GHz),轴比带宽为420 MHz(1.10~1.52 GHz);在测试压力达到390 kg/cm2时,天线形变3%,天线依然能正常工作.实测结果与仿真结果基本一致.该天线具有低剖面、共口径、可承载、双频和圆极化的特点,为车载无线通信系统提供了一种新颖实用的共形天线结构,且其既可以与车壳共形,也可以嵌入车壳直接作为外壳使用.

摘要：根据非挥发逻辑的概念 ,分析了非挥发逻辑必须满足的条件。根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/ 2CFeRAM单元结构的相似性 ,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理。以非挥发CMOSD触发器为例 ,对非挥发D触发器单元及其外围电路进行了设计和仿真 ,给出了基于铁电电容的非挥发逻辑实现的方法。最后 ,提出了非挥发FPGA的概念 ,为非挥发逻辑在数字系统中的应用提供了原型。

摘要：随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .