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检索条件"作者=程礼椿"
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纵磁真空灭弧室内电弧形态及其转变
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《高压电器》1994年 第5期30卷 19-26页
作者:程礼椿华中理工大学武汉430074 
从灭弧室实际开断情况出发,阐述了起始收缩型电弧转变成扩散型电弧的条件与机理,并引用美国西屋公司近期的实验研究结果加以分析讨论;最后介绍了设计纵磁触头所需的临界磁场计算公式.
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纵磁真空灭弧室的临界磁场
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《高压电器》1995年 第5期31卷 44-46,59页
作者:程礼椿华中理工大学武汉430074 
简要介绍了美国西屋公司最近研究获得的纵磁真空灭弧室交流临界纵磁经验公式,它对于设计灭弧室纵磁触头结构有重要的参考价值。
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横磁触头真空灭弧室内的电弧运动与液滴喷溅
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《高压电器》1994年 第4期30卷 18-23页
作者:程礼椿华中理工大学武汉430074 
根据横磁触头真空灭弧室内电弧运动与液滴喷溅两大基础现象论述其产生机理,并对近年国外的实验研究结果加以分析讨论,供国内设计制造和使用部门的技术人员参考.
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无磁触头真空灭弧室内电弧的形态与转变
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《高压电器》1996年 第4期32卷 36-40页
作者:程礼椿华中理工大学武汉430074 
引用美国西屋公司最近实验结果,对无磁触头真空灭弧室内的电弧形态及其转变条件进行分析和讨论,供国内真空灭弧室研究、设计、制造技术人员参考。
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空气压力对磁吹电弧运动、停滞和触头侵蚀的影响
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《低压电器》1991年 第1期 19-23页
作者:程礼椿华中理工大学 
根据空气压力降低对磁吹电弧运动、停滞和触头侵蚀方面的基础研究结果,在模拟高海拔地区的低气压空气环境中,将低压电器实际的触头系统加以典型化,选择了在较易受气压影响的小极距和小电流的条件下,分别对不同材料(铜、黄铜、石墨)设计...
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CuCr触头材料的等离子熔炼工艺研究
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《高压电器》1997年 第1期33卷 15-17页
作者:王永兴 何俊佳 邹积岩 程礼椿华中理工大学武汉430074 
分析了CuCr触头材料等离子熔炼工艺的特点,详细介绍了等离子炬的设计和熔炼实验系统。熔炼试验的初步研究结果表明,采用等离子熔炼工艺可以获得比常规粉末冶金法更为细密的组织结构。
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SF_6旋弧灭弧室设计中的几个主要问题
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《中国电机工程学报》1989年 第2期9卷 42-48页
作者:王章启 程礼椿华中理工大学 
本文论述SF_6旋弧灭弧室设计中应注意的几个主要问题,提出了解决这些问题的办法。文中就Ι、ψ间的相差θ为什么存在最佳区域作了分析,但同时认为θ的取值不必作为首要设计参数来考虑。
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再谈旋弧灭弧室驱弧场磁—■相位差的取值问题
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《高压电器》1989年 第1期25卷 3-7页
作者:王章启 郑军 程礼椿华中理工大学 
分析了I—φ间的相位差θ存在最佳区域30°—60°的原因,同时认为,θ的取值不必作为首要设计参数来考虑。
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论真空交流接触器触头有效侵蚀率
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《华通技术》1996年 第4期15卷 11-16页
作者:程礼椿华中理工大学430074 
本文拟从真空电弧的基本形态出发,阐明在不同电弧形态下触头侵蚀率的不同,再根据真空交流接触器结构和使用条件的特点论述触头的有效侵蚀率,最后列举国外的作者获得的一些实验数据,指出了选用这些数据的原则和方法供国内从事真空接触器...
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旋弧运动与电极侵蚀的实验研究
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《高压电器》1989年 第2期25卷 13-20页
作者:程礼椿 王章启 王付战华中理工大学 
利用可拆卸旋弧模型灭弧室实验研究了SF_6旋弧的起始停滞、旋弧运动的波动性、中心电极弧根的运动、半波时间内中心电极弧根的旋转圈数、中心电极的弧痕状态以及中心电极的侵蚀率等。所得结果可供电弧运动和电极侵蚀理论研究以及旋弧灭...
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