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重掺杂衬底CMOS电路的衬底噪声耦合模型: 收藏
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引用; 《微计算机信息》2010年第11期26卷 181-183页; 作者：程绮文张耀辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215125 中国科学院半导体研究所北京100080 中国科学院研究生院北京100080; 本文为研究重掺杂衬底CMOS工艺中的耦合噪声建立了一个准确的衬底模型。该模型需要几个拟合的参数,可以从器件模拟或是实际测量中得到。基于CMOS0.35um工艺,设计了一个带隙电压源电路,加入衬底电阻网格模型,对比了SPICE和实际测试的结果...; 本文为研究重掺杂衬底CMOS工艺中的耦合噪声建立了一个准确的衬底模型。该模型需要几个拟合的参数,可以从器件模拟或是实际测量中得到。基于CMOS0.35um工艺,设计了一个带隙电压源电路,加入衬底电阻网格模型,对比了SPICE和实际测试的结果,验证了模型准确性,并探讨了衬底噪声的特性。; 来源：详细信息评论

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