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红外隐身[Si/MgF_(2)]_(N)一维光子晶体设计与计算: 收藏
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引用; 《材料导报》2022年第S1期36卷 179-183页; 作者：童瀚翔李红盛刘延领吴爱民黄昊大连理工大学材料科学与工程学院辽宁省能源材料及器件重点实验室辽宁大连116024; 针对光子晶体在红外隐身方面的结构设计和需求,本工作通过求解麦克斯韦方程,构建多层薄膜系统的光学传输矩阵,为光子晶体在3~5μm和8~14μm处隐身提供材料选择和结构优化的方案。选择高折射率材料Si与低折射率材料MgF_(2),设计[Si/MgF_(...; 针对光子晶体在红外隐身方面的结构设计和需求,本工作通过求解麦克斯韦方程,构建多层薄膜系统的光学传输矩阵,为光子晶体在3~5μm和8~14μm处隐身提供材料选择和结构优化的方案。选择高折射率材料Si与低折射率材料MgF_(2),设计[Si/MgF_(2)]_(N)多层膜结构,推导其红外高反射态。从波动光学理论出发,介绍一维光子晶体红外隐身技术的最新进展与相关原理,计算入射角、周期数、尺寸以及折射率四个因素对光子晶体红外隐身效果的影响。结果表明,要在复杂的工作状况下实现红外隐身,除结构优化外,还需注重材料的选择。; 来源：详细信息评论

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