摘要：以工业装置为背景,建立了乙烯精馏塔的动态模型。用FORTRAN语言编程,在CDC机上进行模拟。研完了该塔的几个主要变量(进料流量、进料组成、侧线产品流量、再沸器热量)存在阶跃干扰下,该塔的动态特性,获得了与定性概念相一致的模拟结果。

摘要：本文分析了矿山规模的决定因素，提出了矿山规模与矿山设备生产能力的数学模型，研究了如何以最少的设备实现矿山的设计规模和矿山设备数量一定时，如何组合采装运设备以实现最大的生产规模，最后给出了一个实际算例。

摘要：根据21世纪工程教育的发展趋势,即产学研一体化,科学技术综合化、社会理性化、国际化、工程教育终身化的要求,研究适于21世纪采矿工程本科专业人才培养需要的教学内容和课程体系,制订出采矿工程专业复合型人才培养的教学计划,是培养21世纪采矿专业人才首先要解决的问题。矿业是我国国民经济的基础产业。

摘要：【目的】获得抗信号转导和转录激活因子3(signal transducer and activator of transcription 3,STAT3)蛋白的特异性纳米抗体,通过验证该纳米抗体在免疫组织化学和Western blotting检测中的应用及对黑色素瘤细胞B16生长的作用,对其功能进行鉴定。【方法】通过噬菌体展示淘筛技术从羊驼B16纳米抗体文库中筛选抗STAT3纳米抗体,获得阳性克隆并测序;根据序列信息设计和构建pColdⅠ原核表达质粒,并通过大肠杆菌进行纳米抗体表达;通过镍柱、分子筛和超滤管进行纯化和浓缩;利用免疫组织化学和Western blotting验证纳米抗体是否结合脑组织中STAT3蛋白;采用CCK8法分析该纳米抗体对B16细胞增殖的影响,并用Western blotting检测其对其分子路径相关基因表达的影响。【结果】经过噬菌体展示淘筛及阳性克隆测序后,成功获得1株特异性结合STAT3蛋白的纳米抗体单克隆菌株,命名为STAT3-VHH-10B;将构建的该纳米抗体的pColdⅠ原核表达载体进行诱导表达和纯化,SDS-PAGE结果显示,成功得到大小约为15 ku的抗STAT3纳米抗体;免疫组织化学和Western blotting结果显示,纯化制备的纳米抗体可成功检测到大脑组织中STAT3的表达;细胞增殖检测结果显示,该纳米抗体对B16细胞增殖具有明显的抑制作用,并下调细胞增殖路径的主要基因CycD 1、Bcl2、cMyc编码蛋白的表达。【结论】本研究成功筛选到1株抗STAT3蛋白的特异性纳米抗体,且该纳米抗体可用于免疫组织化学和Western blotting法检测组织中STAT3的表达,此外,通过与抗原结合后,抑制主要基因CycD 1、Bcl 2、cMyc的表达,从而抑制B16细胞增殖。本研究结果将为STAT3及其纳米抗体的功能研究提供新工具。

摘要：针对大破损彩色纹理图像的修复问题,将TV-L1模型推广到非局部CTV-L1模型。该模型不仅包含非局部算子,同时还引入了CTV(color total variation)规则项,前者可以修复大破损纹理图像,后者充分考虑了彩色图像层与层之间的耦合关系,在处理彩色图像时可以有效地保持边缘。为提高模型的运算效率,通过引入辅助变量和Lagrange乘子为其设计了相应的增广Lagrangian算法。数值实验结果证实所提出的模型在处理彩色图像时可以有效地保持边缘,同时去除图像中异常的不规则点。该研究可以推广到彩色纹理图像椒盐噪声去除及彩色纹理图像分割中。

摘要：以食用型品种万薯7号为试验材料,采用裂区试验设计,以密度为主区因素,肥料为副区因素,开展密度与肥料对食用型甘薯万薯7号产量及品质影响研究。结果表明,密度和肥料对万薯7号的产量及品质均有显著或极显著影响。适当密植可提高万薯7号鲜薯产量,但对其品质有负增长影响;施钾量与产量呈正相关,与品质呈负相关;施磷量与产量及品质呈正相关,但对增产影响小于钾。

摘要：以淀粉型甘薯品种万薯5号和食用型品种万薯10号为试验材料,采用单因素随机区组设计,开展不同干旱水分胁迫下对甘薯叶与根中生理特性变化情况及不同甘薯品种产量的研究。结果表明:受到干旱胁迫影响时,不论从甘薯根体积、鲜薯产量,还是甘薯生理特性变化情况都表明万薯10号比万薯5号耐旱性强;并且受干旱胁迫时在叶和根中甘薯POD、MDA以及Pro变化趋势不一致。其中MDA、Pro在叶与根中的变化存在负相关。

摘要：采用PRO/Ⅱ过程模拟软件,选用UNIQUAC热力学模型,以产品正丙醇质量分数为控制指标,热负荷最低为目标函数,对双塔变压精馏的主要工艺参数进行单因素优化。在此基础上,以理论塔板数、进料位置、回流比为自变量,以正丙醇质量分数为响应值,采用Box-Benhnken中心组合设计,建立二阶回归模型并进行工艺参数全局优化。相关参数表明:回归模型可用于分析和预测响应值与自变量间的关系。在模型预测最优工艺参数下,正丙醇质量分数的实验值与模型预测值绝对偏差为6.86%,证实二阶回归模型是可靠、有效的。

摘要：热冲击下InSb面阵探测器的成品率制约着其适用性。为了解光敏元隔离槽深度对InSb芯片中热应力的影响,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,分析了隔离槽深度对InSb芯片、底充胶和硅读出电路中Von Mises应力的影响。模拟结果表明:随着隔离槽深度的增加,InSb芯片上的热应力起初缓慢增加,之后增加速度越来越快,当隔离槽深度超过8μm后,InSb芯片上的热应力陡峭上升。对硅读出电路和底充胶来说,在热冲击下累积的热应力似乎与隔离槽深度无关,分别在370 MPa和190 MPa左右浮动。当隔离槽深度取4μm时,整个器件的热应力较小、且分布均匀,能够满足光学串扰及结构可靠性设计的需求。

摘要：为系统研究热冲击下InSb焦平面探测器的形变规律,需借助多层材料形变分析方程组求得其形变解析解。本文在分析、模拟双组份弹性材料均匀混合后其等效杨氏模量随体积分数变化趋势的基础上,借助有限元软件ANSYS对InSb焦平面探测器中间层等效杨氏模量的提取进行系统研究。分析结果表明,直接采用线弹性材料模型模拟的结果与真实材料的等效杨氏模量相去甚远,需用黏塑性模型方能给出符合实际的中间层等效杨氏模量;在InSb焦平面探测器典型结构设计中,中间层的等效杨氏模量随体积分数的演化规律可用线性方程描述,这为后续探测器结构优化提供了理论分析模型支撑。