摘要：对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、-βIC曲线等关键参数进行了模拟。模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz。

摘要：研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶Si发射极As杂质浓度分布十分敏感。

摘要：分析了一个新的复杂的四维混沌系统的动力学特性,此系统每个动力学方程中包含三个二次交叉乘积项,通过改变一个参数系统可以产生一涡旋、二涡旋、三涡旋和四涡旋吸引子.最后采用MUTISIM11设计了一个模拟电路来实现这个新的基于一个可变电阻多功能四维混沌系统.

摘要：阐述密码控制设计的基本原理。介绍了VHDL语言的特点以及基本的语法结构。在MAX+plusⅡ开发软件环境下,利用VHDL硬件描述语言实现密码控制系统设计,并对其系统各个模块进行仿真分析。