摘要：采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径(等径部分)22 mm的晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重力作用,并提高温度梯度以增强结晶趋动力,特别设计了锗单晶生长用的加热线圈,包括设计线圈的内径为18 mm,线圈的下表面设计为0°的平角,上表面设计成9°的锥形等。改进后的加热线圈有效地减小了熔体的质量,消除了熔体因重力作用而引起的下坠及因下坠而在上界面形成的无法熔化的腰带。实验表明,锗单晶生长对功率变化非常敏感,生长过程中极易引入位错,但在有大量位错的情况下,晶棱能依然保持完好。

摘要：分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构(包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计)基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。

摘要：对φ30mm、晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析,针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题,从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究,理论联系实践,优化工艺参数,对如何提高熔区稳定性及结晶驱动力,提出了有效的解决措施,提高了真空区熔硅单晶的成品率。

摘要：通过改进InP晶锭加工流程的设计,明显提高了直径不均匀或者含有多晶或孪晶晶锭的出片量。与传统半导体材料晶锭加工流程相比,采用本加工技术加工晶锭的最终出片面积至少能够提高20%,在某些情况下能达到50%以上。为了验证该加工流程对晶片参数的影响,研究了InP晶锭表面起伏对晶片厚度一致性、翘曲度、弯曲度等几何参数的影响。实验结果表明,在切割参数相同的情况下,采用本加工技术获得的晶片厚度一致性较差,造成参数恶化的原因是晶锭表面起伏使钢线在接触晶锭表面时可能出现位移。通过在晶锭表面粘接特殊的板补偿晶体表面起伏,改善了晶片厚度一致性。本方法可以在保证生产质量合格的成品晶片的同时,大幅度提高晶锭最终出片面积。