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高隔离SAW双工器模组的研制: 收藏
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引用; 《压电与声光》2024年第4期46卷 429-434页; 作者：蒲志勇杨桃均罗文汀张伟龚旭杨卫东温桎茹中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆 401332; 为进一步提高LTE B3双工器频段间隔离度,利用系统级封装(SIP)技术设计了一种高隔离声表面波(SAW)双工器模组.该模组由2个SAW双工器和3个耦合器组成,利用TX-RX路径的相位相消及耦合器的隔离度,实现单颗SAW双工器上下行链路间隔离度的提高...; 为进一步提高LTE B3双工器频段间隔离度,利用系统级封装(SIP)技术设计了一种高隔离声表面波(SAW)双工器模组.该模组由2个SAW双工器和3个耦合器组成,利用TX-RX路径的相位相消及耦合器的隔离度,实现单颗SAW双工器上下行链路间隔离度的提高.采用阻抗元滤波器架构,实现了单颗SAW双工器隔离度达51 dB.采用宽边带状线多层螺旋耦合线结构实现了工作宽带宽、集成小型化的3 dB耦合器.研制的模组测试结果表明,在B3频段内,尺寸为8.0 mm×8.0 mm×2.0 mm,插入损耗小于3.2 dB,回波损耗大于13 dB,隔离度优于65 dB,承受瞬间功率可达34 dBm.; 来源：详细信息评论

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