摘要：采用含运算放大器钳位结构的带隙基准核心电路,设计一种低温漂系数高抑制比带隙基准电压源。针对基准核心电路输出电压中高阶温度分量对温漂系数的影响,加入了一种电流抽取与注入结构的高精度曲率校正电路,在基准输出电压随温度上升而增大阶段抽取一部分正温度系数电流,在基准输出电压随温度上升而减小阶段注入一部分正温度系数电流,利用单一的正温度系数电流对基准输出电压高阶温度分量进行校正,达到降低温漂系数的目的。在0.5μm CMOS工艺模型下,使用Cadence Spectre软件对电路进行仿真,仿真结果表明,温度特性得到了较大的改善,当温度在-40～+125℃范围内时,温漂系数仅为0.5057×10-6/℃,低频段时电源抑制比为-81.8 d B。带隙基准电路正常工作的最低电源电压为2.4 V。

摘要：针对双极型晶体管基极-发射极电压VBE含有二阶温度非线性项导致带隙基准源温漂系数较高的问题,提出了一种新颖的二阶曲率补偿电路,根据基尔霍夫电压定律以及MOS管饱和区漏电流与栅源电压成平方关系,产生一个与热力学温度平方成正比的补偿电流,对基极-发射极电压VBE的二阶温度项进行补偿,从而有效地降低基准输出电压的温漂系数。基于0.5μm CMOS工艺库,使用Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压5V,温度范围为-35～+130℃时,温漂系数为2.213ppm/℃,低频时电源抑制比可达到-116d B,在10k Hz时抑制比为-74d B。电源电压在1.6V～5V范围内变化时基准输出电压线性调整率为0.094%。