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X-切薄膜铌酸锂高效率光栅耦合器的设计: 收藏
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引用; 《半导体光电》2022年第2期43卷 280-284页; 作者：罗砚浓蔡鑫伦广西医科大学生命科学研究院生物医学光子学研究中心南宁530021 中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室广州510006; 基于X-切绝缘体上薄膜铌酸锂平台,提出并设计了一种高耦合效率的切趾一维光栅耦合器。采用非晶硅覆盖层材料,结合亚波长光子晶体等效方案和遗传算法增强光栅耦合效率。在中心波长1550 nm处,光栅的峰值耦合效率为-1.08 dB,通过引入底部...; 基于X-切绝缘体上薄膜铌酸锂平台,提出并设计了一种高耦合效率的切趾一维光栅耦合器。采用非晶硅覆盖层材料,结合亚波长光子晶体等效方案和遗传算法增强光栅耦合效率。在中心波长1550 nm处,光栅的峰值耦合效率为-1.08 dB,通过引入底部金属反射镜可进一步提高至-0.53 dB,其1 dB带宽约为61 nm。; 来源：详细信息评论

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