摘要：针对传统被动隔振器低频振动抑制性差的缺陷,设计了一种新型的电磁-橡胶主被动一体化隔振器,通过研究输出力特性来评估其减振性能,首先,利用等效磁路分析法对其磁路结构进行设计仿真以及动力学分析,并得到其电磁力计算公式。然后,基于COMSOL软件对作动器的输出力进行动态仿真分析,并得到电流及其频率对输出力特性的影响,最后,将特性实验结果与仿真结果进行对比分析。

摘要：介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键因素,并在对应的工艺线进行流片,得到了完整的测试数据。

摘要：介绍了一种适用于电荷耦合器件(CCD)的静电保护电路。在对该静电保护电路工作原理分析的基础上,通过电路仿真确定了静电保护电路中MOS管的电学参数,再由半导体器件仿真确定了其工艺条件,并按此条件制作了静电保护电路。通过人体模型静电放电试验对该静电保护电路进行测试,结果表明CCD的抗静电能力由原来的不足100V提高到450V。

摘要：采用2μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件。介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果。

摘要：介绍了二元光学方法制作多台阶衍射微透镜的设计和工艺过程；分析了台阶侧壁倾斜对衍射效率的影响；提出了一种基于软刻蚀技术的复制和集成新工艺。实际制作了8台阶硅衍射微透镜阵列，利用新工艺复制了硅衍射透镜阵列。

摘要：采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm,有效光敏面积为11.3mm×11.3mm,光响应波长范围为400～1 100nm。成像区域横向分为2个区,纵向分为2个区,可由1路、2路和4路输出,有9种读出模式。该器件具有2×2的像元合并功能,能作为512×512(像元尺寸为22μm×22μm)和规格的器件使用。该器件数据速率为4×40M,数据速率高。器件采用MPP工作模式,暗电流低;采用薄栅氧化,具有100krad(Si)抗辐照能力;适合在高温、辐照环境和微光环境下成像应用。

摘要：采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。

摘要：本文讨论了隔冲系统的非线性刚度，冲击作用时间、冲击刚度、系统阻尼等对其抗冲击性能的影响，提出了综合评价其抗冲击性能的指标η，为实际抗冲击系统的设计提供了有益的启示。

摘要：运用Data Matrix二维条码的特点重新设计奥运体育场馆电子门票系统,并构建了一个完整的奥运电子门票Data Matrix二维条码自动识别系统。对Data Matrix二维条码系统进行详细地规划,并通过实际条码生成的例子,证明其可行性和可实践性。本文突破了Data Matrix二维条码本身的适用领域的限制,有一定新意和实践价值。

摘要：在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生。当MPP注入剂量为(6±2)×1011cm-2时,其暗电流密度下降了2/3,满阱电荷下降了1/2。