摘要：【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立低噪声BM-TIA,其可兼容12.5、10.0和2.5 Gbit/s 3种信号速率。【方法】为突破CMOS工艺的带宽和噪声瓶颈,TIA通过多级放大、输入电感均衡网络及提高电源电压的方法实现了要求的低噪声。采用前向放大器与反馈电阻共同调节的增益调节方式,实现了3档位的增益变化和速率变化。针对突发模式信号采用快速直流(DC)消除环路(AOC)来精准消除雪崩击穿二极管(APD)输入的DC电流,运用电荷分享技术加速失调消除环路的建立,并通过转换AOC环路时间常数的方法来抑制基线漂移。【结果】芯片采用40 nm CMOS工艺设计制造,裸片尺寸为945μm×945μm。芯片搭配商用10 Gbit/s APD进行同轴罐(TO-CAN)封装测试。测试结果表明,在12.5、10.0以及2.5 Gbit/s速率下,芯片的灵敏度分别为-29.7,-33.0和-37.6 dBm。在不同速率下,饱和输入光电流均可达2.5 mA,实现了24.7、28.2和32.8 dB的大输入动态范围。芯片的静态功耗为82.5 mW,在整个输入光功率范围内,突发模式下AOC的建立时间均小于23 ns。【结论】将文章所提芯片应用于XGS-PON,不但为基于CMOS工艺的低成本低噪声BM-TIA设计提供了借鉴,也对更高速率PON场景下的芯片设计具有指导意义。

摘要：为多层平面电感设计提出了一种全局优化方法．该方法在给出等效物理模型的基础上，以获得最大品质因数为设计目标，以工作频率、单位面积电感值、电感线圈的电流承受能力为约束条件，将优化问题表示为平面电感器结构参数的正项式函数，即将优化问题便捷地转换为几何规划，使之在不同条件下均可快速获得优化结果．采用全局优化方法设计的电感器芯片的测试数据表明，在给定的约束条件下，单位面积电感值大于80mH／m^2，金属条宽度大于10um，频段范围50～400MHz，优化得到的品质因数与测试结果的最大误差在10％以内．

摘要：在0.35μm硅衬底CMOS工艺条件下,分析了集成平面电感器的单片DC/DC变换器的功率损耗,折中考虑了设计中的难点以及各种影响因素。优化了变换器的转换效率,确定其开关频率为100MHz;考虑片上集成平面电感器的单位面积电感值与品质因数的大小也是决定DC/DC变换器性能的关键因素,该文给出了双层平面螺旋电感器的物理设计与几何参数优化,获得了双层平面螺旋电感。模拟结果表明该变换器工作稳定,转换效率可以达到62%。

摘要：为提高完全集成低压低功率DC／DC转换器转换效率与输出电流能力，提出了一种多层混联螺旋电感结构．该结构基于标准0．5μm 2P3M CMOS工艺，将下面较薄的两层金属线圈多点并联，再与最上层金属线圈串联．多点并联结构有效地增加了等效金属层的厚度，串联结构增加了线圈之间的互感值，从而可以在不增加额外工艺成本的条件下显著提高平面电感的品质因数、单位面积电感值和电感线圈的电流承受能力．所提出的模型为完全集成DC／DC转换器的整体电路模拟分析提供了便利基础．基于0．5μm2P3MCMOS硅衬底工艺的模拟计算结果表明，在DC／DC转换器工作频段50～400MHz，取得了预期电感的设计效果，最大品质因数值达4．2，单位面积电感值达到83mH／m^2，可以承受的电流达90mA．电感芯片测试结果与模型模拟结果基本吻合．

摘要：提出了一种全局优化算法，将几何规划的关键技术应用于完全集成DC／DC转换器所需的双层片上电感器设计．在给定的约束条件下，几何规划算法可以全局性地高效解决电感器各竞争目标（如品质因数与所占面积）之间的优化折中问题．针对电感值为10-40nH的方形与圆形双层串联平面电感，在物理模型的基础上用几何规划算法及其形式的解析表达式来进行优化，优化结果表明，在相同的约束条件下，圆形线圈不同电感值对应的最大品质因数要比方形线圈的相应值高出约20％，但是形状的不同并没有显著改善谐振频率．

摘要：为克服晶体管或者电子开关在太赫兹频段上的不足,将石墨烯应用于太赫兹可重构天线中。根据石墨烯表面电导率模型,分析了其面电导率随频率、化学势和温度的变化关系,以及表面阻抗与化学势的关系,证明了石墨烯应用于可重构天线的优势。设计了一款外加偏置电压的石墨烯方向图可重构天线,天线结构包括金属偶极子(有源振子)以及作为反射器/引向器的金属和石墨烯振子。利用改变化学势(外加偏置电压)的方式调节无源振子中石墨烯贴片的阻抗状态,改变电流分布,使得无源振子在反射器与引向器之间转换。通过HFSS软件的仿真优化,天线实现了在0°,±32°,±37°,±40°方向的辐射,工作频率在(1.07±0.06)THz范围内,相对带宽大于7.84%,辐射效率最高达89.96%。7个辐射方向中,最大辐射增益达8.312dB。该天线具有体积小、重量轻、调控方式简便且稳定的优点,在太赫兹波束可重构天线领域有一定的应用价值。

摘要：This paper presents a low-voltage low-power variable gain amplifier,which is applied in the automatic gain control loop of a super heterodyne receiver. Six stages are cascaded to provide an 81dB digitally controlled gain range in a 3dB step. The gain step error is less than 0.5dB. It operates at an intermediate frequency of 300kHz, and the power consumption is 1.35mW from a 1.8V supply. The prototype chip is implemented in a TSMC＇s 0.18μm 1P6M CMOS process and occupies approximately 0.24mm^2 . It is very suitable for portable wire- less communication systems. The measurement results agree well with the system requirements.

摘要：介绍了美国水工钢筋混凝土结构强度设计方法和偏心受压构件配筋设计流程以及中美两国钢筋混凝土材料强度一般规定和换算方法,美国规范更加注重结构延性和承载能力安全储备的协调。结合某水工箱涵的结构计算,介绍了美国规范垂直土压力和侧向土压力计算方法与中国规范的不同之处,美国规范土压力荷载大于中国规范,美国规范侧向土压力荷载不考虑填土的强度指标;由于美国规范荷载分项系数和水力系数较大,计算荷载和配筋量均大于中国规范。

摘要：准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm^(2).

摘要：广袤与厚重的黑土地,赋予了当代作家迟子建看待生活的独特视角和深切的人文情怀。在迟子建的作品中,死亡意识占有突出位置。而这一意识的来源,既有生活经历的原因,又有杂合的宗教意识影响与异域文化的思想浸淫。在艺术表现形态上,迟子建对死亡主题的选择与书写形式表现出对＂怀伤之美＂的艺术追求与失乐园情怀。本文从死亡作为苦难叙事的核心命题、死亡主题之下的生命意识,以及超越悲剧性的死亡三个方面,分析了迟子建小说中的死亡主题。