摘要：初步研究了一种重组过氧化物酶Acinetobacter ***04(A4-Prx)的酶学特性,并先对pH、温度和H2O2浓度对过氧化物酶A4-Prx活性的影响进行单因素优化,然后采用正交实验设计对A4-Prx降解玉米酒糟中玉米赤霉烯酮的反应条件进行了优化。结果表明,重组过氧化物酶A4-Prx不含有血红素,其过氧化物酶活性的最适pH、温度和H2O2浓度分别为pH8.5、75℃、25mmol/L;A4-Prx降解DDGS中ZEN的最佳反应条件为:H2O2浓度40mmol/L,料液比1:2(g/mL),温度70℃,时间9h,且在该条件下ZEN降解率为99.2%±0.2%。

摘要：　　一台好的舞美设计,与演艺诸元素浑然一体,交相辉映,相得益彰,虽繁不夺观众视线,纵简不令观者望缺,这不能不归于作者对舞台美术意象和意境的营造,有了这个"象"和"境",观众就可以领悟了.……

摘要：信息通信技术大大改变了我们生活的方方面面。过去几十年,技术(不管是简单的还是复杂的)给教与学的设计和实施带来了重大变化,深刻地影响了远程开放学习领域。互联网的发展是这种变革的主要促进因素。新工具和技术为教师计划、设计、实施和评价教与学活动提供了创新途径。本文讨论数字技术的一些创新,以及这些创新对数字社会教与学的启示。文章还讨论了远程开放学习领域是否已经准备好迎接数字创新的问题。

摘要：利用自制的磷脂酶A_2,对不同来源、不同制取方法的6种大豆毛油和菜籽毛油进行酶法脱胶实验。结果表明,当毛油磷含量在100~550 mg/kg时,采用以下通用条件能使脱胶油磷含量降到10 mg/kg以下：反应温度为45℃;柠檬酸用量为0.1%,处理时间为30 min;水用量为2%,磷脂酶A_2用量为10 mg/kg,反应时间为90 min。该方法可满足大部分菜籽毛油和大豆毛油的脱胶要求,其优势在于：整个脱胶过程均在45℃条件下进行,无需使用氢氧化钠,节约能源,工艺简便,没有皂脚和含碱废水产生,降低中油损耗和提升副产物价值。

摘要：人工智能技术课程教学软件实现了教学与考试分离,有利于减轻教师负担,为学生平时学习和自测、考试测验提供一个良好的平台。该文主要采用B/S结构,设计实现了人工智能技术课程教学软件,本软件主要分为管理员、教师、学生三种用户,每个用户通过登录软件可以实现各自对应的功能,方便老师教学以及学生学习。主要功能为教师组卷、学生在线考试、教师布置作业、上传课件,学生通过课件学习,提交作业等功能。该文在原有遗传算法的基础上,设计了一种基于遗传算法的智能组卷策略,有助于提高人工智能技术课程教学效果。

摘要：利用实验室自制磷脂酶A2在多家油脂企业以不同制取方法得到的菜籽毛油、大豆毛油为原料进行了酶法脱胶中试应用。结果表明酶法脱胶工艺与现行水化脱胶工艺和酸法脱胶工艺相比有明显优势,具有工艺简单、节约能源、环境友好、副产品价值高的特点。酶法脱胶是一项值得推广的技术。

摘要：新冠肺炎大流行不但造成了生物意义上的后果,而且也产生了社会和教育意义上的影响。本文作者认为这场大流行病危机是人类历史上的一个转折点,其影响如此深远,可以被称为"大重启",虽然其诸多后果仍然不为我们所了解。我们在转而采用应急远距离教育的过程中有过严重失策之举,比如模仿面对面教育、过度依赖数字使能实践和盲目相信数字解决方案。诸如此类的教育之"罪"有损教学效果,导致数字倦怠和疲劳,且进一步扩大数字鸿沟。本文还讨论了新冠肺炎大流行对后新冠时代世界的影响。在线全球化日趋显现,这意味着教育应该重新确定自己在这个变化中的世界的位置。在新常态下,数字学习生态系统在很多方面给我们带来希望,但是也要求我们谨慎处理隐私关切、监控和伦理等方面的问题。这场大流行病给我们带来的一点慰藉或许是使我们更好地认识到教育开放的意义。同样地,新冠肺炎大流行要求我们重新把在很多教育实践中早已被遗忘的关怀和同理心当成学习不可或缺的要素。新冠肺炎大流行本身是对高等教育的一次检验,使我们能够看到我们的失败与成功之处。混合模式的教育预计会成为下一个常态,但是如果我们真正希望建设一个理想的学习生态系统,那么我们必须找到恰当的混合方式。本文最后建议教育工作者应该成为炼金术师,能够把这场危机变成重新设想、重新设计和重新调整教育系统的一个机会,使未来更加美好。

摘要：为推进船用反应堆系统模块化设计进程,本文基于Creo三维数字化设计软件,提出船用反应堆系统模块化布置设计理念。本文通过对船用反应堆系统的特点分析,开展了反应堆系统管路模块化设计关键技术的研究,并以压力安全系统典型区域管路为设计对象将模块化技术应用在船用反应堆系统管路布置设计中,最后得到模块化设计可使现场工作量前移约52%,减少了核动力舱室内的施工时间。

摘要：随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor,pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。