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寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响: 收藏
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引用; 《聊城大学学报（自然科学版）》2021年第5期34卷 8-14页; 作者：张永刚宁平凡刘婕王迪迪肖宁如李玉强天津工业大学电气工程与自动化学院天津300387 天津工业大学电子与信息工程学院天津300387 天津工业大学大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心天津300387; SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段。在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,导致并联电流难以实现均衡。为分析导致电流不均衡现象的影响因素,本文采用CREE公司官网所提供的spice模...; SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段。在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,导致并联电流难以实现均衡。为分析导致电流不均衡现象的影响因素,本文采用CREE公司官网所提供的spice模型搭建了相关仿真测试电路。基于数据手册中所提供的器件参数,分别对寄生电容和寄生电感等参数进行差异化设置,利用PSpice软件进行仿真。分析了在负载电压为600 V时,不同寄生参数对动态和静态电流不均衡的影响程度。最后设计了一种基于阻抗平衡联合磁芯电感的方法对并联SiC MOSFET动静态电流不均衡进行抑制,有效抑制了并联SiC MOSFET电流不均衡现象的发生。; 来源：详细信息评论

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