摘要：MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Qi和表面势Φs这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征。

摘要：设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优化.器件带宽达1.0GHz,对宽带波分复用、光互连以及光计算网络有重要应用价值.

摘要：工程建设的总网络进度计划是工程项目建设的总纲,是对项目建设进行总体规划和组织的纲领性文件,总网络进度计划在实施过程中不断的调整和完善。网络进度计划可以指导工程建设前期准备工作,也是建设过程中开展进度控制、投资控制、质量控制和进行生产准备以及其它一些工作的标准和依据。

摘要：这是中铝股份投资管理经验总结。总结说明,要搞好投资管理工作,必须要有明确的指导思想、健全的组织模式、科学的管理业务流程、完善的管理制度、强有力的管理手段和行之有效的管理办法。

摘要：工程建设的好坏与科学的项目管理密不可分,做好项目管理工作的关键是做好前期准备工作,健全组织模式和管理流程与制度,加强设计管理,选好参建队伍和设备材料供应商,把好进度、投资、质量控制关,以及做好生产准备等方面的工作,从而为达产达标创造条件。

摘要：首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该器件垂直于沟道方向的电场EZ为一非均匀场.理论计算,TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明,通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压,能够得到可以调节的输出特性(增益系数)及转移特性曲线,可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅,并具备低功耗特点.这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性,既可以简化电路的设计,又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度.平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容.

摘要：本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5％,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.

摘要：提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该器件垂直于沟道方向的电场为一非均匀场.理论计算、TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明,通过改变该器件中任何一个栅极偏置电压,能够得到可以调节的输出特性(增益系数)及转移特性曲线,可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅并具备低功耗特点.这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性,既可以简化电路的设计又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度.平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容.

摘要：本文设计与制作了集成球透镜1.3μm InGaAsP/InP DH LED,并对集成透镜LED的频响特性,光强远场分布以及与光纤的耦合特性等方面进行了测试分析.研究结果表明,球透镜LED与标准光纤的耦合效率较之乎面型LED有显著提高,达7.5％,器件截止频率也比平面型LED提高的20％,最高截止带宽达425MHz.

摘要：随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主要从以下几个方面展开:模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基区宽度调制效应(即Early效应)、大注入效应等;大电流条件下的Kirk效应,准饱和效应等。