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基于TSMC180nm工艺的8位电压型数模转换器设计: 收藏
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引用; 《中阿科技论坛（中英文）》2024年第8期 96-102页; 作者：胡含涛高超嵩孙向明朴红光三峡大学理学院湖北宜昌443000 华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室湖北武汉430079 延边大学理学院吉林延吉133002; 基于TSMC180nm的1P6M标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,文章设计了一款8位分辨率的R-2R阶梯架构电压型数模转换器(DAC)。为了降低电阻失配对DAC性能的影响,该DAC采用了传输门结构开关,并通过后仿真与实际测试对其性能进行了对比分析...; 基于TSMC180nm的1P6M标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,文章设计了一款8位分辨率的R-2R阶梯架构电压型数模转换器(DAC)。为了降低电阻失配对DAC性能的影响,该DAC采用了传输门结构开关,并通过后仿真与实际测试对其性能进行了对比分析。测试结果表明,在1.8V电源供电下,总版图面积为820μm×820μm,DAC总功耗为91.8μW,其最大转换速率达250M采样次数/s,微分非线性误差(D_(NL))和积分非线性误差(I_(NL))的最大绝对值分别为0.32LSB和0.52LSB。; 来源：详细信息评论

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