摘要：在220 GHz二次谐波混频器的设计基础上,提出中频传输波导的垂直转换结构,实现了四通道混频器集成模块方案,缩短了混频器单通道的横向尺寸,为太赫兹接收机系统多通道线阵列集成提供了可行性方案。为优化系统模型的准确性,基于TCAD对肖特基势垒二极管进行三维半导体器件建模计算,依据提取的关键特性参数进行混频器的高频电磁波仿真。通过对该设计方案进行测试,结果表明:当本振频率为110 GHz,功率为7 dBm,射频输入200~240 GHz,混频器的单边带变频损耗为8.6~13 dB,在204~238 GHz的单边带变频损耗为8.6~11.3 dB。当本振频率为108 GHz时,驱动功率仅需3 dBm。此外,基于该混频器模块构建的220 GHz接收机系统,积分时间为700μs时其温度灵敏度为1.3 K。

摘要：基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230~270GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6~12.7dB,而普通微带线混频器在射频输入220~260GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4~11.4dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。

摘要：1 概述金石拓片是一种比较特殊的中国传统文献,它涵盖内容丰富广泛,能忠实地在纸质载体上再现器物的铭文图像,反映不同历史时期器物的状况,在不能看到金石原物的情况下,拓片在很大程度上起了替代原物的作用。拓片多方面的价值久已为人们所认识,近些年来,更是受到社会和学界的普遍关注。北大图书馆收藏有近代两位著名藏书家缪荃孙艺风堂、张仁蘸柳风堂的全部藏拓,加上北大图书馆历年所购,馆藏金石拓片近3万种,6万多份。

摘要：为了进一步降低器件的导通电阻,提出了一种新型的ACCUFET结构——栅增强功率ACCUFET(GE-ACCUFET)。这种器件同时具有普通ACCUFET和GE-UMOS的优点,而且导通电阻比这两种器件都要低。设计了一个击穿电压约106 V,导通电阻为2.18×10-4Ω.cm2的栅增强型功率ACCUFET器件(GE-ACCUFET)。将这种新型器件与GE-UMOS、普通ACCUFET进行对比,并进一步研究器件的结构参数对器件性能的影响。通过ATLAS仿真软件的建模仿真得到的数据显示,新型器件的导通电阻与GE-UMOS、普通ACCUFET相比,均有大幅度的降低。仿真还得到了器件导通电阻和击穿电压与结构参数H,D,α的函数关系,这对器件的生产制造有一定的指导作用。