摘要：设计了一种11阶LC高通滤波,整体采用立方体开腔结构,选取多层LTCF陶瓷作为基板,将电感器集成于基板内部,电容器采用分立元件内埋于腔体中。利用Ansoft-Maxwell软件对电感器三维结构进行电磁仿真,充分兼顾滤波器可靠性、小型化及电路性能最优等原则,确定电感器的结构、空间位置及电气参数值;最后,利用绘图软件设计了LTCF基板的叠层结构、各层电路图、电路层间互联等。研制的高通滤波器性能如下:工作频率1~10 MHz、截止频率1 MHz、尺寸8.2×8.2×2.8 mm、通带插入损耗不高于3.1 dB、电压驻波比小于1.4,该滤波器解决了传统分立器件搭建无源高通滤波器的分立器件多、集成度低的问题。

摘要：针对5G通讯小型化应用需求,改变结构形式,研制了一种超小型集总参数型隔离器。相对于传统的分布参数式隔离器,这种隔离器体积缩小95%以上,核心思路为采用集总参数元件代替更大尺寸的分布参数电路。通过原理设计和仿真分析,最后成功制作了器件样品。隔离器的工作频率为1805~1880 MHz,外形尺寸为5×5×2.5 mm,电压驻波比小于1.3,插入损耗小于0.45 dB,隔离度大于18 dB。该器件尺寸小,装配方便,性能参数优良,可望广泛应用于通讯系统。

摘要：针对多路高功率微波合成技术中,合成器采用扩大尺寸的方式容易产生高次模式的问题,在数值模拟的基础上,设计了一种用于高功率微波合成的双色板,可对X波段下两路相同极化方向的高功率微波进行高效合成。当电磁波入射角度为45°时,该双色板对9.3 GHz±50 MHz高功率微波的反射效率大于99%,对9.7 GHz±50 MHz高功率微波的透射效率大于99%,且抑制了高次模式的产生,实现了8 GW的功率容量及紧凑化设计的要求。

摘要：对于传统微波无源器件S参数的测量,通常是先在矢量网络分析仪上对同轴端进行SOLT的全二口校准,再通过测试夹具对微带器件进行测试,测试夹具引入了一定的测试误差。为实现微带双端口器件的准确测试,设计了用于LRL校准方法的测试夹具及校准件。介绍了校准原理及校准件设计,通过HFSS仿真软件对测试夹具进行仿真优化,设计制作了LRL精确校准的测试夹具及校准件。对X波段微带器件进行测试,验证LRL测试夹具测试的准确性。

摘要：介绍了一种P波段的宽带环行器设计方法,发现并验证了有限元仿真该类高场宽带环行器会出现频率偏移现象。提出了有限元仿真时内场值的设置及验证方法,并通过该方法的应用,解决了仿真中频率偏移的问题。设计的宽带环行器,承受峰值功率达2 kW,占空比10%,相对带宽22.22%,尺寸仅30×30×10 mm,兼具宽带款、高功率、小型化特点。该环行器采用Y型结带线Drop-in结构设计,通过材料、结构的匹配调节最终实现器件性能,驻波比≤1.25,隔离度≥20 dB,插入损耗≤0.4 d B。提出的频率偏移验证方法可广泛应用于高场环行器、隔离器、隔环组件等铁氧体器件的有限元仿真设计中,校正器件设计中带来的频率偏移现象。

摘要：针对目前微波系统超高功率发展的趋势,提出了相应频段的隔离器设计需求。通过原理分析,结合HFSS电场仿真软件和ANSYS热力学软件设计制作了一种具有损耗低、隔离度高、功率容量大等优点的超高功率铁氧体隔离器。所研制的铁氧体隔离器在所需频段内工作性能良好,性能指标为:工作频率f=3700±20MHz,输入电压驻波比VSWR≤1.1,正向损耗(插损)α_+≤0.25 dB,反向损耗(隔离度)α_-≥25 dB,功率容量P≥600 kW,脉冲时间t≤5 s,器件成功通过高功率试验考核。

摘要：为了满足P波段环行器小型化、宽带化、大功率的技术需求,通过原理分析,采用准集中参数的工作模式,结合HFSS电场仿真软件和ANSYS热力学软件设计制作了一款P波段宽带大功率小型化铁氧体环行器。结果表明,在60 mm×60 mm×26 mm的体积下可实现50%带宽,通过峰值功率2 k W,电压驻波比1.5,插入损耗0.6d B,隔离度13 d B。

摘要：针对目前微波系统多通道微波通路切换以及星载微波器件小型化的需求,提出了小型化射频同轴开关的设计需求。通过原理分析,结合HFSS电场仿真软件和Maxwell低频电磁仿真软件,设计制作了一种具有磁保持功能、低耗能、体积小、可靠性高等优点的射频同轴开关。所研制的开关在DC~19 GHz频段内工作性能良好,工作频率f:DC~8 GHz,输入电压驻波比VSWR≤1.5,正向损耗(插损)α+≤0.15dB;f:8~13 GHz,输入电压驻波比VSWR≤1.95,α+≤0.8 dB;f:13~19 GHz,输入电压驻波比VSWR≤2.3,α+≤1.15 dB,隔离度≥65 dB,脉冲时间t≤20 ms,研制的产品成功通过切换100万次的可靠性试验考核。

摘要：为满足器件小型化、集成化、高功率密度等需求,基于MEMS工艺技术,利用半导体材料硅作为衬底,设计并制作了一款小型化毫米波环行/隔离组件。该组件采用双层硅片键合的结构形式,将铁氧体嵌套于下硅片,铁氧体上部中心结电路制作在上硅片下表面,使得整个电路保持连续。该结构有效克服了由于电路不连续导致的器件性能恶化。仿真分析表明,该结构单节环行器在32~38GHz内隔离度≥20dB,环行/隔离组件平面尺寸小于5×7mm,在33.5~36.5GHz范围内实现驻波比≤1.35,损耗≤0.9dB,隔离度≥18dB的性能。测试结果表明,环行/隔离组件在35 GHz左右实现了较好的环行/隔离性能。

摘要：针对目前3mm波雷达要求,提出了相应频段的铁氧体开关方案。通过原理与方案分析、仿真优化设计和加工工艺的探索设计制作了一种具有插损低、开关转换时间快、功耗低和可靠性高等优点的3mm铁氧体高速开关。所研制的铁氧体开关在3mm频段内工作性能良好,性能为:输入电压驻波比VSWR≤1.16,正向损耗(插损)α+≤0.58d B,反向损耗(隔离度)α―≥22d B,开关响应时间t≤2μs,为后续毫米波的仿真研究、加工技术手段提供了一定的方向与参考。