摘要：基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器件研究设计可提供有价值的参考.

摘要：为了给脉宽调制（PWM）控制器提供稳定的工作电压,基于齐纳二极管的正温度系数和三极管B-E结的负温度系数之间的温度补偿原理,设计1个结构简单、性能优越的高精度基准电压电路,并应用华越SB45双极工艺在Candence中进行仿真。研究结果表明：该电路能够提供多路稳定的基准工作电压,而且具有较高的电源电压抑制比,对温度依赖程度很小;在-55~125℃范围内,该电路的温度系数为1.2×10-6/℃;当电源电压为8~30 V时,线性调整率约为0.4 mV/V,电源电压抑制比为77.54 dB,能够满足PWM控制器的工作需求。

摘要：通过合金化改性技术,Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件,极具发展潜力.基于直接带隙Ge1-x Sn x半导体合金8带Kronig-Penny模型,重点研究了其导带有效状态密度、价带有效状态密度及本征载流子浓度,旨在为直接带隙改性Ge半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有价值的参考.研究结果表明:直接带隙Ge1-x Sn x合金导带有效状态密度随着Sn组分x的增加而明显减小,价带有效状态密度几乎不随Sn组分变化.与体Ge半导体相比,直接带隙Ge1-x Sn x合金导带有效状态密度、价带有效状态密度分别低两个和一个数量级;直接带隙Ge1-x Sn x合金本征载流子浓度随着Sn组分的增加而增加,比体Ge半导体高一个数量级以上.

摘要：应变Ge材料因其载流子迁移率高,且与硅工艺兼容等优点,已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点.本文基于压应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构模型,研究了压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系,包括空穴离化杂质散射概率、声学声子散射、非极性光学声子散射、总散射概率以及空穴各向同性、各向异性迁移率,获得了有实用价值的相关结论.本文量化模型可为应力致Ge改性半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有重要的理论参考.

摘要：将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所建立的集电区电容模型予以分析.规律和结果为:1)SOI SiGe HBT特征频率随集电区掺杂浓度的升高而增加;2)SOI SiGe HBT特征频率与集电极电流IC之间的变化规律与传统SiGe HBT的相一致;3)正常工作状态,SOI SiGe HBT(集电区3×1017cm-3掺杂)最高振荡频率fmax大于140 GHz,且特征频率fT大于60 GHz.与传统SiGe HBT相比,特征频率最大值提高了18.84%.以上规律及结论可为SOI SiGe HBT及BiCMOS的研究设计提供重要依据.

摘要：基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111)Si1-xGex(x=0.1—0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢位置和极值附近可由电子有效质量描述的能带形状在应变条件下几乎不变;价带极大值附近可由空穴有效质量描述的能带形状随着x有规律地变化.此外,给出的禁带宽度与x的拟合关系同KP理论计算的结果一致,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.

摘要：采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001),(101)和(111)面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex(x≤0.5)的能带结构模型,获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分(x)的函数变化关系,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.

摘要：基于改进的Euclid算法,提出了一种仅含两个折叠计算单元的结构,并用三级流水线结构整体实现以提高吞吐率.将常规有限域乘法器转化到复合域中实现,降低了芯片的复杂性和关键路径延迟.以RS(255,239)为例,基于TSMC 0.18标准单元库的译码器电路规模约为20 614门,在相同纠错能力下,该结构相比较于传统的并行脉动阵列结构,其硬件复杂度可减少60%左右.

摘要：小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考.

摘要：利用应变SiCMOS技术提高载流子迁移率是当前研究发展的重点,本征载流子浓度是应变Si材料的重要物理参数,也是决定应变Si器件电学特性的重要参量.本文基于K.P理论框架,从分析应变Si/(001)Si1-xGex材料能带结构出发,详细推导建立了300K时与Ge组分(x)相关的本征载流子浓度模型.该数据量化模型可为Si基应变器件物理的理解及器件的研究设计提供有价值的参考.