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折叠插值ADC边界效应的研究: 收藏
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引用; 《微电子学》2019年第5期49卷 602-608页; 作者：张宝娣邓红辉胡逸俊合肥工业大学微电子设计研究所; 基于折叠插值ADC的研究,改善了平均电阻网络造成的边界效应。采用环形平均电阻网络、边界阻值取为等效电阻的方法来解决边界效应,同时提出了一种新型的边界折叠器结构。该结构应用于第一级边界折叠结构,能有效补偿边界过零点偏移,得到...; 基于折叠插值ADC的研究,改善了平均电阻网络造成的边界效应。采用环形平均电阻网络、边界阻值取为等效电阻的方法来解决边界效应,同时提出了一种新型的边界折叠器结构。该结构应用于第一级边界折叠结构,能有效补偿边界过零点偏移,得到趋于准确的边界过零点,提高了ADC性能。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,在改善边界效应后对ADC进行仿真。结果表明,该ADC的ENOB为9.11bit,SFDR为61.69dB。; 来源：详细信息评论

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