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杭绍台铁路椒江特大桥主桥钢桁梁架设关键技术
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《世界桥梁》2023年 第4期51卷 36-42页
作者:何明辉 胡雄伟中铁大桥局集团有限公司湖北武汉430050 桥梁智能与绿色建造全国重点实验室湖北武汉430034 
杭绍台铁路椒江特大桥主桥采用(84+156+480+156+84)m双塔双索面四线高速铁路钢桁梁斜拉桥,纵向为半飘浮体系。钢桁梁采用2片主桁、N形桁式;桥面采用正交异性钢桥面板,与主桁下弦杆结合。由于下游既有椒江大桥通航净高的限制,且主桥台州...
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遗传算法优化设计三角晶格光子晶体
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《物理学报》2007年 第2期56卷 927-932页
作者:龚春娟 胡雄伟中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 
将遗传算法应用于三角晶格光子晶体的禁带设计过程.考虑到可制备性,算法以第五能级下最大绝对禁带为优化目标,采用粗粒度像素表示原胞结构.通过引入傅里叶变换数据备份机制以提高禁带计算速度和算法效率,从而快速搜索到了具有较大绝对...
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临港长江大桥边跨超宽钢箱梁架设关键技术
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《中文科技期刊数据库(引文版)工程技术》2024年 第1期 197-200页
作者:何奈胡雄伟中铁大桥局集团有限公司湖北武汉430050 
川南城际铁路宜宾临港长江公铁两用大桥主桥为双塔双索面钢箱梁斜拉桥,孔跨布置为(72.5+203+522+203+72.5)m。大桥采取公铁平层合建设计方案,钢箱梁宽63.9m,高5.0m。宜宾侧辅助跨和边跨钢箱梁跨越桥下盐李路,桥面离地高度约77m。结合桥...
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BIM技术在建筑工程结构设计阶段的应用研究
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《建设科技》2023年 第21期 104-106页
作者:胡雄伟广州市启鑫投资开发有限公司广东省广州市510000 
BIM是建筑信息模型的缩写,它是一种通过数字化方式创建、管理和使用于建筑项目的全过程的技术,将其在装配式建筑设计建造过程中应用可以提高信息传递速率,使得项目管理更加精细化。故本次研究根据传统设计流程进行研究,设计BIM技术应用...
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芜湖长江公铁大桥2号墩围堰气囊法下水设计
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《桥梁建设》2020年 第2期50卷 7-12页
作者:胡雄伟 毛伟琦中国中铁大桥局集团有限公司湖北武汉430050 桥梁结构健康与安全国家重点实验室湖北武汉430034 
为给双壁钢套箱围堰气囊法下水施工组织设计提供理论支撑,以商合杭铁路芜湖长江公铁大桥2号主墩圆端形双壁钢套箱围堰为例,研究双壁钢套箱围堰气囊法下水的设计方法。结合围堰拼装场地地形条件进行坡道与气囊布置并进行后端地笼计算。...
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资源节约型集装箱港口设计总体思路
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《水运工程》2015年 第2期 131-137页
作者:胡雄伟中交第三航务工程勘察设计院有限公司上海200032 
通过分析集装箱港口资源节约现状,提出资源节约型集装箱港口设计理念。分析集装箱港口资源因素,抓住集装箱港口建设过程中资源节约的关键环节,积极推广资源节约的关键创新技术,提出集装箱港口设计阶段关于资源节约方法及途径的基本经验。
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资源节约型集装箱港口设计总体思路
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《水运工程》2013年 第4期 62-68页
作者:胡雄伟中交第三航务工程勘察设计院有限公司上海200032 
通过分析集装箱港口资源节约现状,提出资源节约型集装箱港口设计理念。分析集装箱港口资源因素,抓住集装箱港口建设过程中资源节约的关键环节,积极推广资源节约的关键创新技术,提出集装箱港口设计阶段关于资源节约方法及途径的基本经验。
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基于分布式内存计算的深度学习方法
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《吉林大学学报(工学版)》2015年 第3期45卷 921-925页
作者:李抵非 田地 胡雄伟吉林大学仪器科学与电气工程学院长春130021 国家标准化管理委员会标准信息中心北京100088 
为了提升深度学习技术并行化学习效率,设计了一种面向计算机集群的分布式内存计算方法。构建分布式内存环境,建立数据分片处理和多任务调度机制,使模型参数和神经元节点的计算和存储并行运行于该环境中,避免了磁盘I/O对训练速率的影响;...
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重庆寸滩长江大桥桥塔横梁支架设计与施工
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《世界桥梁》2015年 第2期43卷 40-44页
作者:胡雄伟中铁大桥局集团有限公司湖北武汉430050 
重庆寸滩长江大桥为主跨880m的钢箱梁悬索桥,桥塔下、中、上横梁分别重3 062t、1 020t和1 050t,按照下、上、中的顺序采用无落地式支架法施工。支架主要受力构件为贝雷片支架、托架和钢靴,中、上横梁支架倒用下横梁支架构件。经优化设计...
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16×0.8nm Si基SiO_2阵列波导光栅设计、制备及测试
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《光学技术》2005年 第3期31卷 349-350,353页
作者:李健 安俊明 王红杰 胡雄伟中国科学院半导体研究所北京100083 
叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0.8nm(100GHz),解复用器的插入损耗为16.8dB,其中材料损耗为11.95dB,相邻通道串扰小于-17dB,通道插损非均匀性小于2.2dB。
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