摘要：在陕北地区,土壤水分是限制植被生长的主要因素之一。为了解陕北黄土区不同植被类型土壤水分变化情况,给研究区林业生态工程建设提供科学依据与数据支撑,选取吴起县广泛分布的7种典型退耕还林植被,经单因素方差分析和Duncan多重比较,结果显示:研究区土壤含水量随季节变化总体表现为春季>秋季>夏季;在7种植被类型中,土壤含水量和土壤贮水量均表现为河北杨最高,草地次之,刺槐山杏混交林最低;研究区在2020年秋季至2021年夏季土壤水分处于持续亏缺状态,且各植被类型春季土壤贮水亏缺补偿度明显小于冬季。研究表明:研究区土壤水分受植被类型影响明显,在陕北选择合理的植被配置模式进行退耕还林十分重要。

摘要：基于双极型工艺设计了一种双通道轨到轨功率运算放大器,其功能模块包括:基准偏置、输入级、中间级和输出级电路。输入级电路采用两组npn、pnp型差分输入对管组成的轨到轨输入结构,配合电流开关电路实现输入级的跨导恒定;中间级电路选择电压跟随器结合电流跟随结构,实现将双端输入转为单端输出;输出级电路为具有3阶放大能力的AB类结构,实现轨到轨输出的同时提高电流放大能力;芯片内还集成了电流检测、反向电流保护、静电放电(ESD)保护等相关电路。该运算放大器采用双极型工艺流片。实测结果表明:该功率运算放大器的输入失调电压小于1 mV,输入失调电流小于2 nA,开环电压增益大于120 dB,增益带宽积大于4.5 MHz,短路电流大于100 mA,压摆率大于1.5 V/μs。

摘要：基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路。这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点。设计采用0.5μm BiCMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～120℃温度范围内,5V工作电压下,该带隙基准源的输出电压为1.204V,温度系数为1.9×10-6 V/℃,在1kHz时,电源抑制比为58dB。

摘要：基于BCD工艺设计了一款模拟多路复用器。电路支持单电源或双电源供电(单电源2.5~5.5V,双电源±2.5 V),内含32个CMOS开关,通过5~32译码器实现32选1功能。采用SMIC0.18μm BCD工艺流片,电路经测试验证,关键参数导通电阻和传输延迟达到设计要求。

摘要：提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计。结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%。在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGTLDMOS的比导通电阻下降了35.4%。