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语文创新教学要注重课堂提问
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《阅读与鉴赏(下旬)》2011年 第2期 59-59,53页
作者:苏洪源河北省邯郸市峰峰矿区大社学区 
怎样进行语文创新教学?创新教学的途径有多种.而科学设计与组织课堂提问即是其中一个重要方法。纵观古今,横观中外,很多教育家非常注重问题教学。著名教育家苏霍姆林斯基认为:“真正的学校乃是一个积极思考的王国。”
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150V电荷耦合功率MOSFET的仿真
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《半导体技术》2014年 第12期39卷 902-907页
作者:李蕊 胡冬青 金锐 贾云鹏 苏洪源 匡勇 屈静北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京100192 
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区)电荷匹配问题进行了仿真优化研...
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600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真
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《半导体技术》2014年 第12期39卷 908-916页
作者:苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京100192 
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
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Simulation study on single event burnout in linear doping buffer layer engineered power VDMOSFET
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《Journal of Semiconductors》2016年 第2期37卷 90-93页
作者:贾云鹏 苏洪源 金锐 胡冬青 吴郁Power semiconductor and power integrated circuit laboratory College of Electronic Information and Control EngineeringBeijing University of Technology New Electrical Materials and Microelectronics InstituteState Grid Smart Electrical Engineering 
The addition of a buffer layer can improve the device's secondary breakdown voltage, thus, improving the single event burnout (SEB) threshold voltage. In this paper, an N type linear doping buffer layer is proposed...
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用于功率器件动态特性测试的栅驱动脉冲发生器
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《智能电网》2015年 第5期3卷 437-441页
作者:苏洪源 杨霏 贾云鹏 吴郁 胡冬青 李立北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市朝阳区100124 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所北京市昌平区102209 
功率器件作为电力电子器件的典型代表,在智能电网的相关设备中起着至关重要的作用。针对智能电网中所用的功率器件(绝缘栅双极晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)、金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc...
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