摘要：为了满足通信系统中对核心器件工作频率更高的要求,设计了一种新型的器件结构,有效提高了SiGe异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar transistor,HBT)的频率特性。基于传统的SOI SiGe HBT器件结构,通过减小发射区和集电区的窗口尺寸,并在集电区引入单轴应力,集电区、基区、发射区均实现应变,提高了纵向载流子的迁移率,从而提高器件的电学特性和频率特性,并利用SILVACO TCAD软件对其电学参数和频率参数进行仿真分析。结果表明,当基区Ge组分为梯形分布时,电流增益最大值β_(max)为1062,厄尔利电压V_(A)为186 V,厄尔利电压与电流增益的优值为1.975×10^(5)V,截止频率f_(T)最大值为419 GHz。集电区引入Si_(1-y)Ge_(y)应力源的新型SOI SiGe HBT器件相比于集电区未引入应力源的器件结构,其截止频率f_(T)提高了1.1倍,所设计的新型小尺寸器件具有更优良的频率特性。

摘要：为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。