摘要：提出了ZnSe/ZnS多量子阱光开关的综合优化设计方案。根据Kronig-Penney模型对多量子阱结构进行优化,根据实验结果对多量子阱构成的非线性F-P进行了优化设计。

摘要：本文设计了非标准数据库的一种存储结构。用模式树和数值树分别表示模式结构和数值结构；对原子值使用域来处理，并且在域中提供反向指针链，提高了面向域的操作的效率；将域和数值结构分别处理，为数据操作提供方便。

摘要：设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明：Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件,对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。

摘要：从交流薄膜电致发光（ACTFEL）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的要求，对ACTFEL矩阵显示屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层SIOZ／TS。OS击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例，ZnS：Mn发光层的厚度和衬底ITO方块电阻的取植范围。我什1通过实验对理论结果进行了检验，并在理论设计指导下研制了640×480（25cm）ZnS：MllACTFEL单色计算机终端显示屏。

摘要：设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。

摘要：本文从交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计．从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ＺｎＳ∶Ｍｎ发光层的厚度和衬底ＩＴＯ方块电阻的取值范围．通过实验对理论结果进行了验证，并在理论设计的指导下研制了６４０×４８０（１０英寸）ＺｎＳ∶ＭｎＡＣＴＦＥＬ单色计算机终端显示器．

摘要：提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２ 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的尺寸分布， 并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想． 以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒， 再通过Ｃｄ２＋ 与ＯＨ－ 的选择性包覆在大粒径的ＣｄＳ纳米微粒表面形成一层Ｃｄ（ＯＨ）２， 然后溶液置于日光下辐照处理， 数天后， 未经包覆的小粒径ＣｄＳ纳米微粒被日光腐蚀分解， 溶液中只剩下被Ｃｄ（ＯＨ）２ 包覆的大粒径ＣｄＳ纳米微粒， 这样即可达到缩小ＣｄＳ纳米微粒尺寸分布的目的．

摘要：设计并制备了一种新型的（ＣｄＺｎＴｅ，ＺｎＳ）／ＺｎＴｅ复合量子阱结构。使ＣｄＺｎＴｅ 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ＺｎＳ 阱层，从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在，从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。