摘要：布局是VLSI布图设计中的关键环节,通常采用随机优化算法。该文采用遗传算法(GA)与模拟退火法(SA)相结合的搜索算法实现VLSI门阵列模式布局,利用遗传算法进行全局搜索,模拟退火法进行局部搜索。进化过程中采用精英保留策略,并对进化结果进行有选择的模拟退火操作,这样既加强了局部搜索能力又防止陷入局部最优。在复合布局目标函数中引入对最长线网的惩罚,其收敛速度比以总线长度为单一目标函数的要快。在交叉操作中,对交叉位置的选择采用了一种新的策略,增加了交叉的有效性。实验表明,此算法与简单遗传算法相比,有效地提高了全局搜索能力。

摘要：文章分类讨论了现有的VLS I布局算法,主要包括对交换法、划分类算法、模拟类算法和数学规划类算法;重点分析了遗传算法在VLS I改善布局中的运用,包括染色体的编码,适应度函数的选择,选择、交叉、变异3种算子的具体选用等。

摘要：无轴承永磁同步电机磁场中不仅存在转矩绕组电流产生的磁通,而且存在径向悬浮力绕组电流产生的磁通,这两种磁场会导致永磁体退磁。设计永磁体参数需考虑产生最为有效径向悬浮力、电磁转矩和避免永磁体退磁三者之间的关系。论文分析了转矩绕组电流产生的磁通和径向力绕组电流产生的磁通共同作用下,转子表面永磁体容易引起退磁的关键区域;在电机气隙不变情况下,分析得出了保证产生最为有效的径向力时最佳永磁体厚度;基于永磁体退磁限制,采用有限元分析计算,针对论文中设计的永磁体厚度及气隙长度,得出了无轴承永磁同步电机最大转矩电流、径向悬浮力电流和产生的最大径向悬浮力。